锗单晶片的碱性腐蚀特性分析

讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性.研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律.通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系,可知腐蚀片表面光洁度和腐蚀速率有关而与去除量无关.腐蚀片的表面粗糙度和去除量有关,去除量越大,粗糙度越大.表面粗糙度也与腐蚀液的碱性强弱有关,当去除量相同时,在强碱性腐蚀液中的锗腐蚀片的表面粗糙度更小.在实际应用中,应针对不同目的,选择适宜的化学腐蚀工艺.     

基于网站开发的数据库系统选择分析

在选取网站后台数据库时,要根据实际需要,从网站规模、数据容量、编程语言及开发经费等角度,选择最合适的数据库系统,从而提高效率节约成本。     

InP单晶片翘曲度控制技术研究

InP单晶片受热场及机械损伤的作用而产生翘曲形变,这种形变在外延过程中会产生滑移线,也会影响外延层厚度均匀性,最终影响外延质量,因此必须采取措施对InP衬底的翘曲度加以控制.切割工艺是影响晶片翘曲度的关键,但受InP单晶特性及切割工艺自身的限制,InP切片的翘曲度仍保持在一个较高的水平,不能满足高质量外延的要求,需要采取措施进一步降低翘曲度.讨论了用化学腐蚀方法降低InP单晶切片翘曲度,研究了化学腐蚀液的组分、温度及腐蚀去除量对InP单晶片翘曲度的影响,综合工艺的稳定性和实际操作的便利性及晶片翘曲度的实际测试结果,确定了降低InP单晶片翘曲度的适宜工艺.     

腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响

对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响。研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀速率变化不明显,而当腐蚀液温度发生变化时则腐蚀速率、晶片表面腐蚀形貌(显微镜下的表面状况)和化学腐蚀后晶片的表面粗糙度均有较大变化,当腐蚀液温度控制在一定范围时,晶片表面光洁,显微镜下观察到的腐蚀图形均匀一致。研究结果对确定InP晶体加工过程中的化学腐蚀工艺有一定的指导意义。     

聚偏氟乙烯膜蒸馏技术在水处理中的应用研究进展

膜蒸馏是一种以膜为介质,利用传统蒸发工艺开发的新型膜分离技术。随着高分子材料行业的进步和制膜工艺的成熟,膜蒸馏技术取得了巨大的进展,在水处理领域拥有十分广阔的市场前景。膜蒸馏技术的核心是膜的通量和使用寿命,而性能优良的膜材料是膜蒸馏技术发展的关键。聚偏氟乙烯(PVDF)因具有成膜性能好、表面张力大、化学稳定性强等优点,在膜蒸馏技术应用研究中备受青睐。同时PVDF与其他聚合物具有良好的相容性,为膜的改性研究奠定了基础,极大地扩展了应用范围。本文介绍了膜蒸馏技术的工作原理及工艺特点以及PVDF膜材料的特点及改性方法,重点对PVDF膜蒸馏技术在水处理领域的应用进行了梳理和总结,讨论了该技术亟待研究和解决的问题,以期为该工艺技术的进一步发展提供科学支撑和理论依据。     

直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究

直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高．在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。     

VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法

介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法.通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度.经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高.     

求解混合三角多项式方程组的直接GBQ方法

许多科学与工程领域,我们经常需要求混合三角多项式方程组的全部解.一般来说,混合三角多项式方程组可以通过变量替换及增加二次多项式转化为多项式方程组,进而利用数值方法进行求解,但这种转化会增大问题的规模从而增加计算量.在本文中,我们不将问题转化,考虑利用直接同伦方法求解,并给出基于GBQ方法构造的初始方程组及同伦定理的证明.数值实验结果表明我们构造的直接同伦方法较已有的直接同伦方法更加有效.     

一种与k-prototypes混合的蚁群聚类算法的浅探

本文介于k—prototypes和蚁群聚类算法的优,缺点,将两种算法进行改进后,交替使用,相互弥补．扬长避短,形成一种全新的算法,既缩短了聚类时间也能形成高效的聚类结果。     

硅单晶片的激光标识技术研究

介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064 nm的光纤型激光打标机在硅单晶片上制作标识码。通过研究激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率的50%～90%,同时,通过对激光标识码的位置进行了分析,确定了合适的激光打标位置,最终成功地在硅单晶片表面制作了激光标识码,解决了硅单晶片的可追溯性问...