一种低插损高隔离度毫米波SPDT开关

基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关.采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积.开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损耗,提高了线性度.仿真结果表明,该SPDT开关在工作频率下,插入损耗小于...     

基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究

分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200 V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。     

射频电路ESD防护优化设计

在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路.在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度.通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口 ESD防护电路插入损耗的同时还提高了射频电路的线性度.仿真结果表明,两级串联二极管结构可以将...     

基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究

分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。