方波伏安法测定镍铜合金中的镍含量

在0.01mol·L-1的氨水-氯化铵缓冲溶液(pH 9.3)中,镍(Ⅱ)于-1.25V(vs.SCE)出现一灵敏的方波伏安峰。镍(Ⅱ)浓度在1.5×10-6～1.0×10-4mol·L-1与伏安峰高呈线性关系,线性方程为ip(μA)=2.1870+0.6328c(μmol·L-1),相关系数为0.9991。方法的标准偏差为0.7％。该法应用于镍铜合金样品中镍的测定,结果满意。     

方波伏安法测定酚酞片含量

研究了酚酞在0.5 mol/L氨水-氯化铵缓冲溶液(pH 10)介质中汞膜电极上的电化学行为,并依此建立了酚酞含量的方波伏安法测定.酚酞于-0.98 V(VS.Ag/AgCl)处出现一灵敏的阴极还原峰,峰高与酚酞的浓度在3.0×10-7-5.0×10-5mol/L范围内有良好的线性关系.方法的最低检出限为1.0×10-7mol/L,方法用于酚酞片中酚酞含量的测定,结果满意.     

导数阴极溶出方波伏安法测定卡那霉素注射液含量

研究了汞 卡那霉素络合物的电化学行为 ,并建立了导数阴极溶出方波伏安法测定卡那霉素注射液含量的方法。在 pH 4 .7的HOAc NaOAc缓冲溶液中 ,在约 0 .12 6V (vs.SCE)处出现一个汞 卡那霉素络合物的还原峰 ,卡那霉素的浓度在 0 .0 2～ 1.5mg·ml- 1之间与导数方波伏安图的峰高存在良好的线性关系 ,回归方程ip(10 - 4A) =3.6C(mg·ml- 1) + 0 .4 6 ,相关系数为 0 .992 0。方法简便、灵敏、准确 ,可用于卡那霉素注射液含量测定     

新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感

提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构．制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺．测量了螺线型集成电感的S参数，从测量数据计算了集成电感的参量．实验的侧向螺线型片上集成电感的Q值峰值为1.3，电感量为22nH．对用两层金属层实现的侧向螺线型片上集成电感和单层金属的常规平面螺旋电感的实验结果进行了比较，电感量和Q值与常规平面螺旋电感有可比性．     

新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感

提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构．制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺．测量了螺线型集成电感的S参数，从测量数据计算了集成电感的参量．实验的侧向螺线型片上集成电感的Q值峰值为1.3，电感量为22nH．对用两层金属层实现的侧向螺线型片上集成电感和单层金属的常规平面螺旋电感的实验结果进行了比较，电感量和Q值与常规平面螺旋电感有可比性．     

原子吸收光谱法测定污染土壤中铅和镉的形态

土壤重金属污染及其环境生态效应已成为人们关心的热点问题,土壤中重金属的赋存污染的研究是探讨重金属迁移规律和生物可利用性的前提.以江苏省南部某重金属污染稻田土壤为研究对象,采用BCR逐级提取—石墨炉原子吸收分光光度法对土壤中典型重金属铅、镉元素的形态分布特征进行了分析测定.石墨炉原子吸收分光光度法测定溶液中的铅、镉的校准曲线分别为A=0.036C(mg·L-1)+0.009、A=0.400C(mg·L-1)+0.020,相关系数(r)分别为0.9960和0.9890.污染土壤铅、镉元素含量分别为603.3mg·kg-1和21.8mg·kg-1;土壤中铅的赋存形态质量分数具有可还原态＞＞酸溶态＞残渣态＞可氧化态的分布规律,而镉则呈现酸溶态≌可还原态＞＞残渣态＞可氧化态的分布特征,说明土壤条件下的不同重金属元素能够呈现不同化学作用过程和机制,因此表现出不同程度的生物可利用性特征.     

方波伏安法测定巯基乙酸

1　引　　言巯基乙酸是一种含硫气味的无色液体 ,广泛用作烫发剂、染发剂、脱毛剂、ＰＶＣ塑料稳定剂、聚合反应促进剂、内转移试剂。其测定大多采用碘量法和示波滴定法 ,本文报道巯基乙酸在ｐＨ =1 0ＮＨ3·Ｈ2 Ｏ ＮＨ4 Ｃｌ缓冲溶液中的电化学行为 ,并由此建立一种方波极谱法快速测定巯基乙酸含量的方法。2　实验部分2 .1　仪器与试剂　ＣＨＩ832电化学分析仪 (上海辰华仪器公司 ) ;磁力搅拌器 (盐城工学院 ) ;采用三电极系统 :汞膜工作电极、饱和甘汞参比电极和铂片辅助电极。ＮＨ3·Ｈ2 Ｏ ＮＨ4 Ｃｌ缓冲溶液 (ｐＨ =1 0 ) ;淀粉指示…     

汞膜电极上N-乙酰-L-半胱氨酸的电化学行为

研究了汞膜电极上N 乙酰 L 半胱氨酸 (C5H8O3 SH ,NAC)的电化学行为和测定方法。在 0 .1mol LHAc NaAc缓冲溶液 (pH =4 .5 )介质中 ,方波伏安扫描于～ -0 .2 5V(vs.Ag AgCl)处出现一灵敏的阴极还原峰 ,用循环伏安法、线性扫描极谱法和脉冲极谱法等手段研究了体系的电化学行为及其反应机理。实验表明 :该峰具有明显吸附性 ,吸附分子为Hg2 (C5H8O3 S) 2 ,电子转移系数α为 0 .82 ,电子转移数为 1。NAC的浓度在1 2×1 0 - 8～ 5 .0× 1 0 - 6 mol L范围与其方波伏安峰高有良好的线性关系。方法的检出限为 5 .0× 1 0 - 9mol L ,用于富露施颗粒剂中NAC含量的测定 ,结果满意     

新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感

提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法.这种方法是直接在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流.衬底pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺.本文设计和制作了硅集成电路,测量了硅集成电感的S参数并且从测量数据提取了电感的参数.研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素Q的影响.结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果.在3GHz,衬底pn结隔离能使电感的品质因素Q值提高40%.     

高速集成电路中高温超导连线技术研究

本文研究了ＹＢＣＯ高温超导薄膜中原位溅射法生长优质膜的成膜技术，ＹＢＣＯ薄膜的Ｔｃｏ为９０Ｋ，Ｊｃｏ（７７Ｋ）为１０＾６Ａ／ｃｍ＾２；并建立了直流磁控溅射淀积速率的模型，还研究了微细加工形成超导薄膜导线的薄膜成形技术，在ＥＤＴＡ腐蚀法中，Ｔｃｏ仅下降１Ｋ，对超导特性影响下，本文着重研究了超导导线与高速集成电路的连续工艺，研制成功用高温超导连线的ＨＣＭＯＳ集成电路。