铈对Sn-0.7Cu焊料合金性能的影响

以Sn-0.7Cu无铅焊料为基础,研究Ce元素含量对焊料合金微观组织、熔程、润湿性的影响。将纯锡和中间合金Sn-10Cu和Sn-1.8Ce按质量比在270℃熔化、保温20 min后搅拌均匀,浇铸冷却后制备成Sn-0.7Cu-xCe (x=0～0.3)焊料合金。通过光学显微镜观察焊料合金的显微组织,采用X射线衍射仪(XRD)进行焊料合金的物相分析,通过差示扫描量热分析仪(DSC)进行焊料合金熔点测定,采用铺展性试验法和润湿平衡法测定焊料的润湿性。结果表明:Ce元素可细化焊料合金组织,在Ce含量为0.1%时晶粒组织细化最明显;焊料合金的熔程随着Ce元素含量的增加而增加;焊料的润湿性随着Ce元素含量的增加先升高后降低, Ce元素含量为0.05%时最优,润湿时间为0.72 s,铺展面积为0.56 mm~2。     

Effect of Ge-GeO2 co-doping on non-ohmic behaviour of TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics

An investigation was made into the effect of doping with the elemental crystal Ge or/and GeO₂ on the TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃ varistor ceramics. The result shows that as the doping contents of V₂O₅ and Y₂O₃ are 0.5 mol%, respectively, co-doping with 0.3 mol% Ge and 0.9 mol% GeO₂ makes the highest α value (α = 12.8), the lowest breakdown voltage V_1mA (V_1mA = 15.8 V/mm) and the highest grain boundary barrier Φ_B (Φ_B = 1.48 eV), which is remarkably superior to the TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃ varistor ceramics undoped with Ge and GeO₂ and mono-doped with Ge or GeO₂. The TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃-Ge-GeO₂ ceramic has the prospect of becoming a novel varistor ceramic with excellent electrical properties.     

分散剂在sol-gel法制备PZT粉体中的应用

采用sol-gel法制备了PZT纳米粉体。针对硝酸铅会从干凝胶中析出的问题,分析了硝酸铅的析出原因,采取在溶胶中加入柠檬酸三铵作为分散剂来消除硝酸铅的偏析。实验结果表明:当柠檬酸三铵的加入量为醋酸铅的2.5%(摩尔分数)时,能得到粒度较为均匀,组成与计算配方一致的PZT纳米粉体。     

烧结温度和升温速率对Pb(Sb1/3Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷性能的影响

采用传统固相法制备了Pb(Sb1/3 Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48 O3 (PMS-PZT)压电陶瓷.利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性能的影响.结果表明:不同烧结温度下,所有样品均为单一的钙钛矿四方相,过渡液相不会对相的结构有影响,但是当烧结温度较低时,过渡液相在烧结后期以玻璃相在晶界附近富集,对陶瓷的压电和介电性能有很大影响.随着烧结温度和升温速率的升高,PMS-PZT晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高;d33测试和阻抗分析测试结果表明PMS-PZT样品在1100℃附近以7 ℃·min-1升温速率并在1250℃烧结时具有最好的压电和介电性能:d33 =313 C/N,kp=0.59,Qm=1481,εr=1437,tanδ=0.53;.     

PVP平均分子量对纳米银线制备的影响及工艺探究

利用乙二醇还原合成银纳米线.研究了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的平均分子量,AgNO3与PVP(平均分子量为1300000)物质的量的比,控制剂(Cl-)离子浓度对产物形貌及银纳米线长径比的影响.通过SEM、XRD测试,对不同的条件下制备的纳米银线进行微观形貌和晶体结构进行表征.实验表明,PVP平均分子量对纳米银线制备有着重要的影响且不同的PVP平均分子量需要不同的溶液浓度体系才能制备出高纯高产高长径比的纳米银线.当PVP的平均分子量为1300000,控制剂为CuCl2·2H2O和KCl,AgNO3与PVP物质的量之比为1∶2,反应时间为1h,纳米银线的直径大约为80 nm,长度大约为100 μm,长径比可高达1000多.     

层状结构低压ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

CeO2掺杂KNN-LiNbO3无铅压电陶瓷的压电与介电性能研究

采用传统固相烧结法制备了0.98K0.5Na0.5NbO3-0.02LiNbO3-xCeO2(0.98KNN-0.02LN+xCeO2)无铅压电陶瓷.研究了不同CeO2掺杂含量(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04)对0.98KNN-0.02LN陶瓷显微结构和电学性能的影响.研究结果表明:当CeO2掺杂含量从x=0.00到x=0.01和从x=0.02到x=0.03时,样品出现了正交-四方相转变.当x=0.00和x=0.02时,样品都处于正交与四方两相共存状态.CeO2少量掺杂时Ce4+完全进入晶格,表现为"受主"掺杂的特性;而大量CeO2掺杂时,有杂相的生成,主要起到烧结助剂的作用.样品在1080℃下烧结,当掺杂含量为x=0.02时取得最佳的综合性能:d33=104pC/N,Qm=2201,kp=0.24423,εr=804.2,tanδ=8.748;.     

镍掺杂二氧化钛的化学态分析

对镍掺杂的TiO2进行了化学态分析.采用溶胶-凝胶法制备5mo1; Ni掺杂TiO2粉末,利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描透射式电子显微镜(STEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、傅里叶变换拉曼光谱仪(FT-Raman)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)来对样品的相变过程和化学态进行分析.结果表明:掺杂Ni抑制了TiO2的相转变和晶粒长大,并拓宽了TiO2的可见光谱吸收范围.随着加热温度的升高,Ni掺杂TiO2的晶格氧峰增强而吸附氧峰降低,同时Ti2p3/2结合能减小.     

Pb0.92Sr0.08-xBax(Sb2/3Mn1/3)0.05Zr0.48Ti0.47O3的制备与性能研究

采用传统固相烧结法制备了Pb0.92Sr0.08-xBax(Sb2/3 Mn1/3)005Zr0.48Ti0.47O3(PSBSM-PZT)压电陶瓷样品.研究了不同Sr2+、Ba2+掺杂含量对样品的相结构、微观形貌、压电和介电性能的影响.结果显示:所有样品均为钙钛矿结构.而当x=0.02～0.06时,陶瓷样品组分位于准同型相界区(MPB).由于位于准同型相界区域的陶瓷样品对于电畴的转向具有促进作用,所以处于MPB区域的陶瓷样品具有较大的压电和介电性能,但同时由于电畴转向带来的较大内摩擦和结构损耗,从而提高了材料的机械损耗和介电损耗.当x=0.02时的陶瓷样品获得最佳的综合性能:d33=346 pC/N,kp=0.58,Qm=1217,εr=1724,tanδ=0.774;.     

串联2-2型复合材料的进一步研究

讨论了串联２－２型压电复合材料的介电损耗ｔａｎδ、介电击穿Ｅｂ等介电特性。通过测试复合材料的谐振频率ｆｒ和反谐振频率ｆａ,计算出了２－２型复合材料的压电常数ｄ３１、ｄｈ、ｇｈ以及优值ｄｈｇｈ,并讨论了它们的变化规律。文章对压电常数作了数学模拟,实验结果表明：在压电陶瓷（ＰＺＴ）体积含量较高时,实验值与计算值比较吻合。