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本文介绍了黄石有线在高清互动平台运用大数据获取直播频道收视率的方法,并结合数据分析的手段,推断用户行为,发现内在规律,摸索观看习惯,从而对网络公司的市场营销和经营决策提供有价值的数据参考。 相似文献
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蔡剑锋 《信息安全与通信保密》2006,(9):142-144
论文通过对病毒及反病毒技术的发展分析,总结了现有一些较优秀的杀毒软件的优缺点,提出了基于新理念的攻防查杀型杀毒软件的实现模型。 相似文献
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我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内(0.003~1Hz)的低频等温力学谱和温度谱的测量.我们研究的形状记忆合金NiTi(Ni50.2at%)试样长34mm,直径1mm细丝.经一定热处理,分别在333K.343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明:频率越小,内耗越大,也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率(1Hz,0.1Hz,0.01Hz)的内耗,结果清楚地表明:不同频率下,内耗峰都出现在372K(99℃)。而且频率越低,峰高越高。这是具有相变峰的特点:相变峰的峰温不随测量频率不同而变化,相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0.5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。 相似文献
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使用PowerBuilder开发应用程序的人可能都有这样的体会:当一个项目开发完成之后,文档的整理是项工作量很大的任务。其中,表结构的整理就颇为费事。当初设计的表结构很可能在项目进展过程中有所修改或补充,由于开发人员的、有时甚至还有用户的各种各样的原因,经常造成程序和文档不能同步修改,产 相似文献
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隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
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为了讨论了问题方便,定义了两种P-N:“漏P-N结”和“单纯P-N结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别,认为“漏R-N结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。EEPROM的研制中,要求“漏P-N结”击穿电压≥20V,即沟道区杂质浓度要低到一定的程度,而同时又必须保证一定的开启电压,即沟道区杂质浓度要高到一定的程度,通过分析与实验,提出了解决这一矛盾的通用原则。 相似文献