Co@SiO2核壳式纳米磁性粒子的合成、性质表征及在细胞分离和细胞芯片上的应用

合成了Co@SiO2核壳式纳米粒子,并采用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对其形状、尺寸、荧光及磁特性进行了表征,探讨了其在细胞分离和细胞芯片上的应用和原理.     

Raman spectroscopic study of ceramic Sr2Bi4Ti5O18

Raman spectra of ceramic Sr2Bi4Ti5O18 （SBTi5） are reported to consist of four different Raman bands. Temperature-dependent spectra reveal the relationship between the lattice vibration and the material＇s structure. There appears a relatively large change in structure of the material at about 273K, The anharmonic potential of the material has a great influence on its phonon mode full width at half maximum （FWHM）, which can be expressed by a function of temperature. Theoretical fittings of the FWHMs for the two modes at around 312 cm^-1 and 464cm^-1 indicate that the latter phonon mode is more anharmonic than the former one.     

Synthesis and Crystal Structure of (1-Naphthyl){[3- (2,6-dibromo-4-methylphenylimino)methyl]-5-chloro- 2-hydroxy-benzaldehyde}(triphenylphosphine) Nickel(II) Triphenylphosphine

1INTRODUCTION Over the past decades,olefin oligomerization and polymerization based on late transition metal catalysts have been the most exciting developments in the area of organometallic chemistry and polymer science[1～3].In this broad context,neutral nickel(II)complexes have attracted much attention for their less sensitivity to protonic solvents and polar mon-mers.The most typical one is the SHOP-type cata-lyst[4～6],which contains an anionic[P,O]chelate ring and shows high activ…     

V掺杂ZnO透明导电薄膜研究

本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式, 对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究. 实验研究结果表明: V的掺入并未改变ZnO的生长方式, 所制备的薄膜都呈(002)择优生长; 随着衬底温度增加, VZO薄膜的结晶质量逐步改善, 当衬底温度超过280 ℃时薄膜的结晶质量恶化; 在280 ℃时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10^-3 Ω·m, 500-2000 nm平均透过率高于85%. 理论模拟结果表明: V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 费米能级进入导带, 材料表现出n 型半导体的特性, 导电电子主要由V 3d及O 2p电子轨道提供. 理论计算结果与实验结果的一致性, 表明VZO薄膜具有作为高效Si基薄膜太阳电池透明导电薄膜的应用潜力.     

快中子照相模拟分析与实验验证

首次系统地推导出快中子照相像素值形成解析式, 建立图像反差不等式, 并利用该不等式首次对图像对比度与源强、照射时间和散射之间的关系进行说明. 并在像素值解析式基础上编制快中子照相模拟程序, 利用该程序对空间分辨率和图像对比度进行模拟, 并与实验对照, 研究结果表明空间分辨率模拟效果好于实验, 图像对比度模拟效果与实验相当. 最后通过对狭缝、方孔以及多材质组成的复杂样品模拟并与实验对照, 结果显示模拟效果与实验照片在反差灵敏度效果上非常一致, 该模拟计算方法可为实验设计和工程应用提供参考.     

Co@SiO2核壳式纳米粒子的合成、性质表征及在细胞分离和细胞芯片上的应用

合成了Co@SiO2核壳式纳米粒子, 并采用透射电镜(TEM)、 X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对其形状、尺寸、荧光及磁特性进行了表征, 探讨了其在细胞分离和细胞芯片上的应用和原理.     

纳米Ce1-xCoxO2-δ固溶体的水热合成及表征

采用水热方法, 在络合剂及氧化剂的辅助下合成出传统方法难以合成的Ce1-xCoxO2-δ固溶体. XRD结果表明, Ce1-xCoxO2-δ固溶体具有立方萤石结构; 产物的平均粒度约为4 nm. 小半径、低价态Co离子的掺杂导致晶格收缩. 结合XRD和Raman表征结果确定固溶体的固溶限约为x=0.06. 紫外光谱分析结果表明, Co离子以混合价态(+2, +3)存在于CeO2晶格中, 随着钴掺杂量的增大, 带隙逐渐蓝移. 低于固溶限样品的室温体相电导率随着钴含量增大而提高.