NCD系统的数学理论

无索赔折扣系统(No Claim Discount system,简记为NCD系统)是世界各国机动车辆险中广泛采用的一种经验费率厘定机制.本文尝试建立了NCD系统严谨的数学理论, 重点讨论了NCD系统的数学建模和稳态分析.此外,作为本文必要的数学前提,首先在第2节着重探讨了随机矩阵间的随机优序关系,并将所得结论运用至齐次不可约且遍历的马尔科夫链的研究中,这些内容也有其独立的数学上的兴趣.     

SBN晶体中Eu3+激发态的能量传递

通过选择激发SBN晶体中处于不同晶场位的Eu³⁺离子,得到⁵D₀→⁷F₁的时间分辨荧光光谱,确定了不等价晶场位的离子间的能量转移速率。荧光峰随激发波数的变化表明局部晶场的连续畸变。 关键词：     

LAP及DLAP单晶的晶格振动光谱

本文对新型有机光学非线性晶体LAP的晶格振动进行了群论分析.并记录了各种几何配置下LAP单晶及其氘化物DLAP单晶在50～3700cm~(-1)范围的偏振喇曼光谱及偏振红外反射光谱.对谱图进行了识别.对LAP和DLAP单晶中NH_3~+,PO_4~(3-),COO~-基团的内振动进行了比较.实验结果表明DLAP单晶和LAP单晶具有相同的对称性.氘化使晶体的通光范围向红外方向扩展.     

钼在千周范围内的位错内耗

用Marx方法(频率为86kc/s及102kc/s)测量了区熔提纯钼单晶及工业纯钼多晶的内耗振幅依赖关系。钼单晶在2000℃氢气炉中退火后可测得Granato-Lücke型的内耗-振幅曲线。微量冷加工后内耗增大,并使内耗振幅曲线上出现转折平台(或称极大值),与铝在低温低振幅下测得的结果相似。根据位错蚀坑的观察结果,初步认为此转折平台的出现是与冷加工在晶体中产生的未被钉扎的新位错有关,并求得转折平台处内耗的增值与新位错密度成正比的关系。此外还做了温度和时效(200—300℃)对内耗振幅曲线的影响,随着温度的降低和时效时间的增长,内耗明显下降。以上的结果我们用推广的GL理论进行了讨论。测量了冷加工对工业纯钼多晶的内耗振幅曲线的影响,基本符合GL理论。     

用于凝聚态物质研究的旋转晶体中子飞行时间谱仪

本文介绍了我所自行设计和制造的一台旋转晶体中子飞行时间谱仪。该仪器对凝聚态物质的各种动力学研究是一个有效的工具。我们通过选取适当的锗单晶(111)平面旋转轴的办法消除了仪器单色束中多晶面反射的“污染”(contamination)。该谱仪的入射初始中子能量范围可为10—100meV,对应的初始中子能量分辨率为2.5—7.2％。本文根据Brockhouse理论对散射中子的分辨率作了详细的理论计算,并将计算结果与实测结果进行了对比。介绍了标准钒样品的非弹性散射中子谱的测量结果并与国外几个同类型谱仪的基本特性作了比较。     

四磺酸酞菁镍-表面活性剂薄膜电极催化性能研究

四磺酸酞菁镍阴离子(NiPcTS^-^4)在水溶液中可借助离子交换进入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)薄膜电极, 从而形成NiPcTS^-^4-DDAB薄膜电极。循环伏安实验表明, 在KBr溶液中, 该薄膜电极有一对良好的还原氧化峰, 阴阳极峰电位分别为-0.83V和-0.74V(vs.SCE)。本文探讨了该薄膜电极的电化学行为, 测定了该体系的电化学参数如电荷传递扩散系数Dct和非均相电极反应速率常数k°'等。可将NiPcTS^-^4-DDAB薄膜电极应用于催化各种卤代乙酸的电还原, 估计并比较了它们的表观催化反应速率常数。