蒸汽活化对钙基脱硫剂孔结构及固硫能力影响的实验研究

本文用实验方法研究了在电站锅炉排烟温度条件下，水蒸汽对钙基脱硫剂的活化作用．实验结果表明，蒸汽活化使得脱硫剂孔结构发生了显著变化并明显改善了脱硫剂的固硫能力．这为进一步了解活化机理及开发省水，经济的排烟脱硫技术提供了依据．     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

Concurrence and Wigner-Yanase Skew Information

A measure of entanglement on n qubits is defined in terms of Wigner-Yanase skew information. It is shown that the measure coincides essentially with the concurrence on two qubits. This uncovers the information-theoretic meaning of the concurrence of entangled states.     

Theoretical Studies on the Si（001）-SiO2 Interface Structure

1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…     

HL—1装置碳化和采用抽气孔栏时的可见辐射观测

本文描述了HL-1装置器壁碳化和采用抽气孔栏时,氢及杂质通量的变化情况;利用多道可见辐射的时空分布测量,得到了MARFE放电,在产生MARFE时,辐射热也相应增强。     

回旋管输出窗热性质的研究

一、引 言 输出窗是回旋管的能量输出端口,它的特性直接影响到回旋管的性能和寿命。输出窗的设计包括电特性和热特性的研究。当输出功率增加时,热特性的研究变得非常重要以便寻求合理有效的冷却措施。 输出窗由波导和介质片(块)两部分组成。回旋管的输出波导是圆波导,介质一般做成     

单循环赛赛程安排的一个图论方法

利用图论的边着色理论建立了一个赛程安排的数学模型 .首先建立 n支球队与完全图 Kn的 n个顶点间的一一对应 ,把球队 Ai和 Aj间的比赛关系抽象成 Kn的顶点 i和 j间的边 ( i,j) .然后分别构造出了图K2 m- 1和 K2 m的正常 2 m-1边着色 .从而给出了各球队每两场比赛间得到的休整时间最均等 ,休整的间隔场次数达到上限值 n2 的一个赛程安排方案     

ICP-AES测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量

采用电感耦合等离子体-原子发射光谱法同时测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量.以表征表面调整转化层厚度及钝化膜厚度,采用本方法准确度高、快速简便,经试验结果令人满意.     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

Double-Humped Transverse Density Profile in Two-Dimensional Chute Flow with Rough Sidewalls

We study a two-dimensional granular rapid flow with rough sidewalls stuck with the same size discs by molecular dynamics simulation. A transient state of the double-humped density profile in the flowing process has been found, which appears and moves as travelling wave and is the same as the phenomena in the recent experiments [Acta Phys. Sin. 53 （2004） 3389 （in Chinese）]. Our simulation shows that the rough sidewalls play an important role in the converting momentum of boundary discs from the vertical direction to the horizontal one through particle collisions to form this profile and the good elasticity of discs ensures this effect. The appearance of the double-humped profile may be a precursor, which determines if the whole flow will be far repulsed from the boundary and become dilute eventually.