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1.
2.
ZrO2在Cu-ZnO-ZrO2甲醇水蒸汽重整制氢催化剂中的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对一系列Cu-ZnO-ZrO2甲醇水蒸汽重整(SRM)催化剂的XRD、TEM和BET表征及催化性能测定,研究催化剂中ZrO2对催化剂粒径、比表面以及对SRM反应性能的影响.结果表明,ZrO2的加入,使催化剂的粒径从15 nm降至10 nm(其中CuO和ZnO的平均粒径分别从7.7和10.4 nm降至3.9和8.7 nm),BET比表面从60 m2•g-1增至78 m2•g-1.随着催化剂含ZrO2量不同,甲醇的转化率和H2、CO2的选择性均产生变化,当催化剂中Zr含量为24.0%(w),反应温度为220 ℃,水、醇摩尔比为1.3时,甲醇的转化率达到51.6%, H2和CO2的选择性达到100%(CO和CH4在产物气体中的体积分数小于10-4),这一结果对甲醇燃料电池甲醇重整器的应用具有重要的意义. 相似文献
3.
高负载率纳米Pt-Ru/C催化剂的制备和表征 总被引:2,自引:0,他引:2
以Vulcan XC-72R碳黑为载体, 通过在含十二烷基硫酸钠(SDS)的乙二醇溶液中直接还原氯铂酸和三氯化钌, 制备了负载率为60%的纳米PtRu/C催化剂. 透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)分析结果表明, SDS的加入可显著改善PtRu纳米颗粒在载体表面分散性, 平均粒径达到2.7 nm. 电化学循环伏安法(CV)测试的结果显示, 利用这种方法制备的纳米PtRu/C催化剂对于甲醇氧化具有较强的抗中毒能力和较高的电催化活性. 相似文献
4.
5.
铁掺杂TiO2纳米管阵列对不锈钢的光生阴极保护 总被引:4,自引:0,他引:4
在含FeSO4的HF、H2SO4/HF、NaF/Na2SO4溶液中,通过电化学阳极氧化直接在纯钛表面制备Fe 掺杂的TiO2(Fe-TiO2)纳米管阵列. 应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、X 射线光电子能谱(XPS)等手段对纳米管阵列的结构、形貌及化学组成进行表征. 利用光电化学测量研究Fe-TiO2纳米管阵列在不同波长范围内的光电响应特性和光生阴极保护行为. 考察了温度、时间、掺杂含量等参数对TiO2纳米管阵列的几何尺寸、形貌和光电性能的影响. 结果表明, Fe掺杂可有效减缓TiO2纳米管阵列载流子的复合, 窄化TiO2带隙宽度, Fe-TiO2在410-650 nm范围显示强吸收, 并使光谱响应扩展到波长大于400 nm 的可见光区. 实验结果还表明, Fe-TiO2纳米管阵列对316不锈钢(316L)具有良好的光生阴极保护作用, 暗态下阴极保护作用可继续维持. 相似文献
6.
高度有序的二氧化钛纳米管阵列的制备及其光催化活性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电化学阳极氧化法在钛表面构筑了一种结构有序、微米级的TiO2纳米管阵列膜层. 考察了制备电压、氧化时间、溶液搅拌等实验参数对TiO2纳米管阵列形貌和尺寸的影响. 应用SEM和XRD对膜层的形貌和晶型进行了分析和表征, 并通过TiO2纳米管阵列膜对甲基橙的光催化降解, 研究了TiO2纳米管阵列膜层结构与光催化活性的关系. 结果表明: 阳极电压和溶液搅拌对制备TiO2纳米管阵列的结构起到关键的作用. 控制20 V电压制备的TiO2纳米管阵列膜, 管长达2.6~3.3 μm, 经500 ℃热处理后具有最高的光催化活性, 其光催化性能明显优于一般的TiO2纳米颗粒膜. 相似文献
7.
D-氨基葡萄糖Schiff碱及其金属配合物的抗菌活性 总被引:16,自引:0,他引:16
The effects of D-glucosamine schiff base and its metal complexes on the growth of Aerobacter aerogenes were investigated by the microcalorimetry. Among the substances tested. Zn-SG was shown to be the most bacteriostasic, followed by Zn-o-VG and SG (with the Ic50 of 242, 287 and 320 μg•mL-1, respectively). Cu(Ⅱ)-SG showed less inhibitory effect on Aerobacter aerogenes over the concentration rang of 50~300μg•mL-1. 相似文献
8.
钛醇盐电化学合成的研究 总被引:13,自引:0,他引:13
采用钛金属为“牺牲”阳极,首次在无隔膜电解槽中,电化学一步法制备了纳米TiO~2前驱体钛醇盐Ti(OEt)~4,Ti(OPr-i)~4,Ti(OBu)~4。产物通过元素分析、红外光谱(FT-IR)、拉曼光谱进行表征。电化学一步法直接制备纳米材料前驱体钛醇盐,克服了传统化学方法合成金属醇盐步骤多、产率低、纯度达不到要求及后续分离繁琐等缺点。本文同时讨论了影响电合成钛醇盐的关键因素及可能的反应机理,实验表明钛在醇溶液中呈点蚀行为,钛醇盐卤化物Ti(Ⅲ)(OR)~nBr~m在阳极形成,然后被氧化为Ti(Ⅳ)(OR)~nBr~m,这种物质在阴极上ROH参与下被还原生成钛醇盐Ti(OR)~4,钛阳极表面拉曼光谱证实了上述观点。防止阳极钝化,温度控制在50~60℃之间,彩有机胺溴化物为导电盐,可以提高电合成收率。 相似文献
9.
Shiang-Kuo Chang-Jian Jeng-Rong Ho J.-W. John Cheng 《Solid State Communications》2010,150(13-14):666-668
The fabrication of a sparsely networked carbon nanotube (CNT) thin film on a polycarbonate substrate as the conductor electrode and the emitting cathode by a newly proposed laser separation method is reported. Based on this approach, numerous surface protruding tube tips can be structured straightforwardly, which results in favorable field-emission characteristics. A flexible field emitter with a low turn-on voltage of 1.0 V/μm can be obtained. This method also demonstrates the abilities for fabricating a film with precision patterns and varying CNT concentrations as well as the flexibility of direct film formation on a curved surface. Moreover, all fabrication steps are executed in the ambient environment and at room temperature. 相似文献
10.
Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
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This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire (0001) substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature (HT) A1N layer and a low-temperature (LT) A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer. 相似文献