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2.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
3.
4.
具Hardy-Sobolev临界指数的奇异椭圆方程多解的存在性 总被引:1,自引:0,他引:1
运用变分方法研究了下面问题-Δpu=μupx(s)s-2u f(x,u),x∈Ω,u=0,x∈Ω,多重解的存在性,其中Ω是一个具有光滑边界的有界区域. 相似文献
5.
我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内(0.003~1Hz)的低频等温力学谱和温度谱的测量.我们研究的形状记忆合金NiTi(Ni50.2at%)试样长34mm,直径1mm细丝.经一定热处理,分别在333K.343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明:频率越小,内耗越大,也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率(1Hz,0.1Hz,0.01Hz)的内耗,结果清楚地表明:不同频率下,内耗峰都出现在372K(99℃)。而且频率越低,峰高越高。这是具有相变峰的特点:相变峰的峰温不随测量频率不同而变化,相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0.5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。 相似文献
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8.
完全非线性偏微分方程解的Gevrey微局部正则性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文中,我们首先简要回顾了Gevrey类中的仿微分运算,然后考察了相关的完全非线性偏微分方程的象征的一些性质。作为应用,我们得到解在椭圆点附近的Gevrey微局部正则性。 相似文献
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