晶态-非晶态复合锂离子导体的电学性质

本文研究了晶态LiCl-非晶态Li₂O·3B₂O₃复合锂离子导体的电学性质。实验发现这种晶态-非晶态新型复合离子导体的电学性质变化具有新的现象,即在宏观电导率σ_m-组成曲线上出现了电导率增加的“双峰”效应。相应地,在表观活化能E_m-组成曲线和介电常数ε_m-组成曲线上出现了“双谷”。本文还详细讨论了这些实验现象,得到了与理论相符合的结果。 关键词：     

麦饭石对香烟诱发蚕豆根尖细胞微核的抑制作用

研究了中华麦饭石浸液对香烟烟雾水溶物引起的蚕豆根尖细胞微核率的影响。结果表明，中华麦饭石浸液能显著降低由香烟烟雾水溶物引起的微核率，可能具有减轻由吸烟引起遗传损伤的作用。此外对上述结果的意义进行了讨论。     

Discussion of Some Problems About Nonlinear Time Series Prediction Using v-Support Vector Machine

Some problems in using v-support vector machine (v-SVM) for the prediction of nonlinear time series are discussed. The problems include selection of various net parameters, which affect the performance of prediction, mixture of kernels, and decomposition cooperation linear programming v-SVM regression, which result in improvements of the algorithm. Computer simulations in the prediction of nonlinear time series produced by Mackey-Glass equation and Lorenz equation provide some improved results.     

文学：概念建构与娱乐主题的沉浮

现代文学概念并非与生俱来,而是现代性理论运作的产物。现代文学概念的定型至少要完成四个方面的理论建构：不同知识体系对接带来的理论扩展,经世致用思想传统的承传,文学语言问题的再认识,叙事文类进入文学视野的中心。相对于现代文学概念的标准涵义,娱乐是一个倍受压抑的主题。尽管遭到了启蒙与革命两种文学观念的强大抵制,但是,作为审美愉悦的一个组成部分,娱乐主题顽强地存留于大众之中。20世纪80年代之后,娱乐主题在“文化产业”的名义下声势浩大地回归,并且获得经济效益参与的评价体系大力支持。对于现代文学概念说来,娱乐主题的重现意味了多方面的理论挑战：娱乐主题的位置,经典与“雅/俗”,大众的构成,商业、市场、传媒体系与文学。这些问题相互联系,持续发酵。现代文学概念应当开启多维的对话与争论,以主动的姿态回应现代社会制造的种种历史境遇。     

亚稳碘化汞(β-HgI2M)晶体生长与相变

采用溶液法,以α-HgI₂为原料,在DMSO和H₂O混合溶剂中生长了β-HgI₂^M晶体。通过XRD检测了晶体的结构特征,利用偏光显微镜研究了晶体生长的动态过程及β-HgI₂^M→α-HgI₂的相变过程。研究表明,生长的晶体为β-HgI₂^M,空间结构为Cmc2₁;晶体生长界面夹角为65.02°,与β-HgI₂^M单胞中(110)和(110)夹角(65.16°)吻合;β-HgI₂^M→α-HgI₂相变为结构重构的一级相变。     

二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能

采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器（Cu/PMMA/SnS₂/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯）,对其阻变性能进行了研究。结果表明： Cu/PMMA/SnS₂/Ag阻变存储器的开关比约10⁵,耐受性2.7×10³。在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。     

[100]LiF单晶在60 GPa以内冲击加载下的高压屈服强度特性

获取光学窗口自身的高压强度特性是开展材料高压高应变率冲击响应行为精密测量和数据反演的重要基础。利用平板撞击和双屈服面法,通过冲击-卸载、冲击-再加载原位粒子速度剖面精细测量和数据反演,获得了约60 GPa范围内[100]LiF屈服强度特性随冲击压力的变化规律。结果表明:在实验压力范围内,[100]LiF的屈服强度随加载压力的提高而显著提高,压力硬化效应显著;同时,LiF在冲击加载下的屈服强度高于磁驱准等熵加载结果,应变率硬化效应强于热软化效应。采用Huang-Asay模型确定了可描述冲击加载[100]LiF强度特性的本构模型参数,为LiF在强度、相变、层断裂等加窗测量实验中的深入应用和数据准确解读提供了重要支撑。     

孔径可调的介孔SiO2自支持薄膜的溶剂挥发诱导自组装合成与表征

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂, 正硅酸乙酯为硅源, 在弱酸性条件下利用溶剂挥发诱导自组装(EISA)合成出具有介孔结构的二氧化硅薄膜. 通过控制EISA过程中溶剂挥发的环境, 可在1.4~3.1 nm的范围内调节介孔结构的孔径. 实验表明, 较快的溶剂挥发速率有助于较大孔径的介孔结构生成. 用该方法合成的介孔薄膜具有蠕虫状孔道结构和良好的孔径均一性. 在外观上, 该薄膜具有均匀、透明和无缺陷等特点, 可以自支撑, 并且具有一定的韧性.     

薄层循环伏安法研究硝基苯/水界面上离子诱导的电子转移反应

应用薄层循环伏安法研究了硝基苯/水两相界面间,且有共同离子四丁基铵TBA+存在于两相中,在有机相中的四氰化二甲基苯醌(TCNQ)与水相中的K4Fe(CN)6之间发生的反向电子转移反应。在直径为0.64cm的裂解石墨电极上用2μL硝基苯溶液使之自然扩散在电极表面形成薄层的有机相,并以此作为工作电极。对电极为铂丝(0.5mm),参比电极为Ag/AgCl电极,均置于总体积为2mL的水相中。由于共同离子TBA+的诱导,在硝基苯/水界面间,在已氧化的TCNQ+阳离子(在有机相中)与[Fe(CN)6]4-阴离子(在水相中)之间发生了反向电子转移反应。试验证明:在一定条件下,通过改变两相中共同离子的浓度,可使一些不能发生的两相界面的电子转移反应得以发生;这类电子转移反应系受界面电位差所控制。此外,还测得了在恒定的共同离子浓度比值的条件下,此两相界面电子转移反应的表观速率常数(k)为0.135cm.s-1.mol-1。     

两个由铜离子与Waugh-型阴离子构筑的化合物的合成、晶体结构及表征

通过水热合成得到了一个新颖的包含四核铜配合物的无机-有机杂化化合物[CuCl(H₂O)₄)][CuCl(H₂O)(Phen)][{(CuPhen)₂Cl₂}₂(bdc)]₂[P₂W₁₈O₆₂]·5H₂O(1)(Phen=1,10-phenanthroline和bdc=1,4-benzenedicarboxylate),对其进行了元素分析、红外光谱、热重、电化学等表征,并用X-射线单晶衍射测定了它的晶体结构。化合物1含有由Cl和bdc桥连的四核铜配合物阳离子[{(CuPhen)₂Cl₂}₂(bdc)]²⁺。此外,化合物1的电化学研究表明其对亚硝酸的还原具有很好的电催化活性。