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1.
以Nd:MgO:LiNbO_3同时兼作激活介质和非线性光学材料,研究自倍频激光器。用小型氙灯泵浦,在室温下获得二次谐波激光(0.547μm) 阈值小于4.8'J,最大输出400μJ/shot,工作温度范围大于20℃~45℃,无光损伤。 相似文献
2.
建立了反相高效液相色谱法(RP-HPLC)测定发酵液中赤霉素GA4,GA7的方法。探讨了流动相缓冲盐与甲醇的比例、缓冲盐pH、温度、流速等对两种赤霉素分离的影响,结果表明在Kromasil C18(250 mm×4.6 mm,5μm)色谱柱下,以V(甲醇):V(pH3.0,0.05 mol/L KH2PO4)=60:40为流动相,柱温35℃,流速1.0 mL/min,检测波长228nm,进样量20μL,分离度良好。GA4,GA7标准品质量浓度分别在0.1~8.0 mg/mL,0.1~3.0 mg/mL范围内线性关系良好,线性回归方程为Y4=1.58878+7.06978X4,Y7=0.48281+7.12931X7;GA4,GA7检出限分别为19.6,14.3μg/mL,平均加标回收率分别为98.8%,99.9%,相对标准偏差RSD分别为1.5%,0.34%。 相似文献
3.
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。 相似文献
4.
5.
基于线阵InGaAs光电二极管阵列的光纤光栅传感解调 总被引:1,自引:0,他引:1
采用线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅并结合空分复用和波分复用技术,对光纤光栅传感进行解调.设计了基于线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅的光纤光栅传感解调系统,通过系统测试和性能分析,该解调系统解调带宽42 nm,信噪比30 dB,波长偏移测量精确度±15 pm,功率测量精确度为±0.3 dB.基于线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅的光纤光栅解调系统不但尺寸小,功耗低,而且具有较高的解调速度. 相似文献
6.
7.
8.
Realization of an All-Fibre Self-Organization Intra-Cavity Coherent Erbium-Doped Fibre Laser 总被引:1,自引:0,他引:1
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An intra-cavity coherent coupling Michelson Er-doped fibre (EDF) laser (MCEDFL) is proposed and demonstrated. Characteristics of the MCEDFL are investigated. It is found that the MCEDFL with a polarizer can be coherent combined effectively. By the experiment based on fibre Bragg gratings (FBGs) with different reflectivity, we find that the reflectivity of the FBG play a vital role in improving the performance of the MCEDFL. This outcome adequately shows many favourable features, such as high efficiency, easy operation, and simple all-fibre configuration. 相似文献
9.
本文报道了AgGaS_2晶体Ⅱ类非共线相位匹配Q开关Nd:YAG激光泵浦CO_2激光参量上转换研究结果,用迭代法计算了相位失配因子△K=0时的最佳非共线夹角.当泵浦功率密度为6MW/cm~2和晶体长度为4.7mm时,功率转换效率达16.1%,并且首次采用硅雪崩光电二极管接收和频信号. 相似文献
10.