原子模型势理论中径向微分算符矩阵元的计算

本文推广［７，８］的工作，导出了多电子原子模型势理论中含径向微分算符的矩阵元通式，可直接用于以“速度”及“加速度”形式跃迁振子强度计算。     

原子模型理论的参数确定与检验方法

根据多电子原子价电子径向波函数的节点特性，结合光谱实验数据，提出了一种确定与检验原子模型势理论中势参数的方法，使所得的波函数避免了因内层电子波函数的混入而造成的坍陷。     

Information Entropy Dynamics in Spin-1 Dipolar Bose-Einstein Condensates

Information entropy is an important topic due to its relevance to cold atom system. Motivated by the recent work in a scalar dipolar Bose-Einstein condensates (BECs), we extend this issue to the dynamics of information entropy in spin-1 dipolar BECs. Our results show that the periodicity of S_r, S_k and S is broken in the presence of magnetic dipole-dipole interactions (MDDIs). With the increase of dipole strength, the total entropy S and momentum component S_k increase, wile S_r decreases. This is completely opposite with scalar dipolar BECs. In particular, the order parameter δ decay quickly with stronger dipolar interaction, showing that the increase of dipole strength makes the system become more and more disordered.

     

Investigation of the propagation properties of terahertz waves through a semiconductor subwavelength slit

The propagation properties of terahertz (THz) waves through semiconductor conductor-dielectric-conductor (CDC) structure have been investigated. The influence of geometrical parameters, radiation frequencies and temperatures on the propagation properties have been shown and discussed. The contour results demonstrate that as the length of the dielectric filling materials increase, the effective indices of the propagation modes increase. Compared with the results of the metal structure, the effective indices of surface modes through semiconductor InSb slits increase, the propagation length decrease. The effective indices of the surface modes decrease, the propagation lengths increase with the increasing of the carrier concentration. It is expected that the numerical results may be very helpful to have better understand the propagation mechanism of THz waves through semiconductor subwavelength slit.     

电推力器流动模拟中的电子处理方法

 分析了电子的准中性假设、玻耳兹曼分布假设、粒子模型在电推力器流动模拟中的适用性和优劣性,提出了一种新的电子处理方法——电子漂移扩散近似,采用该方法模拟了离子发动机栅极光学系统等离子体运动过程。结果表明:该方法得出的电势分布、离子相空间分布及电子数密度分布与经典的电子玻耳兹曼分布假设处理方法计算结果一致,验证了该方法可以很好地应用于电推力器栅极光学系统模拟。     

离子推力器羽流特性的粒子模拟

采用粒子网格单元和蒙特卡罗碰撞方法,建立了离子推力器羽流场的2维轴对称模型,对其特性进行了数值模拟,并将模拟结果与实验测量数据进行了对比分析。研究结果表明:数值模拟结果与实验测量值基本一致,模型可以很好地评估离子推力器的羽流特性;返流区离子数密度达到1014m-3量级,会对航天器表面产生污染;背压对束流区域外电荷交换离子影响较为显著,不可忽略。     

微空心阴极放电推力器性能研究

微空心阴极放电推力器是一种新颖的电热式微推力器,利用纳卫星提供的1~10 W的功率可提高微推进装置的性能。为了预示该推力器的性能,结合实验中测量的气体温度值和火箭发动机原理,初步计算得出微放电推力器的推力范围为几十至上千μN,以氩气为工质比冲量级为600~1 000 N.s/kg,以氦气为工质比冲量级为3 000 N.s/kg。研究结果表明,微空心阴极放电较小的尺寸结构与强烈并可控的气体加热相结合,可以开发应用在电热式微放电推进中,作为微小卫星,尤其是纳卫星和皮卫星的动力系统。     

离子推力器放电腔数值模拟

 为更好地理解放电腔内等离子体物理机制,对Kaufman型离子推力器放电腔进行了数值研究,其中初始电子采用粒子模拟的方法处理,二次电子和离子采用漂移-扩散流体近似描述。模拟结果与已有实验测量数据进行对比表明：所采用计算方法适用于放电腔内等离子体流动规律的数值研究;模拟得到的稳态下等离子体分布及变化规律与实验测量数据相吻合;磁场的设计对初始电子起到显著的约束作用,有效地提高了其与工质气体的电离碰撞几率;二次电子的精确描述还需在流体方程中耦合磁场效应。     

二维半导体材料纳米电子器件和光电器件

近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德瓦尔斯异质结凭借其在电学、热学、机械、光学等方面的优异性能已经成为了发展高性能纳米电子器件和光电器件的最具潜力的材料之一。在本综述中,首先概述了几种用于纳米器件的常见二维材料,分析了材料的结构、性能及其在纳米器件中的应用,其次重点对基于过渡金属二硫化物、黑磷以及由其衍生的范德瓦尔斯异质结的纳米电子器件和光电器件的最新研究进展进行讨论,最后对目前二维半导体纳米器件所面临的挑战以及未来的发展方向进行总结及分析,从而为未来发展高性能功能性纳米器件提供支持。     

射频磁控溅射法制备MoS2薄膜的最佳工艺参数研究(英文)

采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS₂薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS₂薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS₂薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析，得到了制备MoS₂薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差，在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250℃时，样品的XRD衍射峰较多，结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS₂的结晶效果起着至关重要的作用，其次是氩气流量。当溅射温度为250℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时，MoS₂膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚，但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变，通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。