Kv1.1 null mice have enlarged hippocampus and ventral cortex

Background  

Mutations in the Shaker-like voltage-gated potassium channel Kv1.1 are known to cause episodic ataxia type 1 and temporal lobe epilepsy. Mice that express a malfunctional, truncated Kv1.1 (BALB/cByJ-Kv1.1 ^mceph/mceph ) show a markedly enlarged hippocampus and ventral cortex in adulthood.     

Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量的变化

采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs 缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi 缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质. 在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键. CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降. CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂. 纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关.     

磺化壳聚糖的制备及IR光谱

将片状壳聚糖溶解制成凝胶 ,冷冻分离 ,洗涤 ,DMF-苯蒸馏除水后 ,以氯磺酸 - DMF为磺化试剂 ,在适当条件磺化 ,获得水溶性良好的磺化壳聚糖 ,用红外光谱进行了结构表征。     

Impact of CHFa Plasma Treatment on A1GaN/GaN HEMTs Identified by Low-Temperature Measurement

We investigate the impact of CHFa plasma treatment on the performance of AIGaN/GaN HEMT （F-HEMT） by a temperature-dependent measurement in the thermal range from 6 K to 295 K. Tlle temperature dependence of the transconductance characteristics in F-HEMT declares that the Coulomb scattering and the optical phonon scattering are effectively enhanced by the fluorine ions in the A1GaN layer. The fluorine ions not only provide immobile negative charges to deplete 2DEG, but also enhance the Schottky barrier height of the metal gate. Thermal activation of the carrier traps induced by CHF3 plasma for F-HEMT contributes to the negative shift of the threshold voltage by -3.4mV/℃ with the increasing temperature. The reverse gate-leakage current of F-HEMT is decreased by more than two-order magnitude in comparison with that of conventional A1GaN/GaN HEMT （C-HEMT） without fluorine ions.     

近红外单光子探测

随着以单个光子作为信息载体的量子通信和量子加密技术的兴起,近红外单光子探测技术受到了广泛关注.近红外单光子探测系统具有极高的灵敏度,所以它还可以胜任探测其它近红外波段微弱光信号的任务.半导体雪崩光电二极管是当前最成熟的近红外单光子探测系统的核心元器件;文章阐明了雪崩光电二极管的暗电流和击穿电压对单光子探测的影响,同时还讨论了工作温度、直流偏置、门信号性质和计数阈值等系统参数之间相互制约的关系.     

搅拌棒固相萃取与液相色谱联用测定水样品中烷基酚类污染物

建立了简单、快速、灵敏测定水环境中的双酚A(BPA)、辛基酚(OP)、壬基酚(NP)的方法。以聚(N-乙烯基咪唑-二乙烯基苯)整体材料为涂层的搅拌棒固相萃取技术富集目标物,然后与高效液相色谱-二极管阵列检测器联用测定水样品中烷基酚类污染物。考察了萃取时间、解析时间、样品基质的pH值、离子强度等实验条件对萃取效率的影响。在最佳条件下,3种目标化合物的线性范围是1.0～200μg/L,检出限LOD(S/N=3)在0.13～0.66μg/L之间,定量限LOQ(S/N=10)在0.44～2.19μg/L之间。在对海水和污水处理厂的实际水样测定中,3种目标化合物的不同加标水平的回收率为37.8%～101.1%。本方法具有简便、快速、高效、灵敏等优点。     

类星体宽发射线区模型

在类星体宽线区,通常的复合与碰撞激发发射线和Cerenkov 线三者并存。但是,由于“Cerenkov红移”使Cerenkov线光子避开了原子的共振吸收,从气体纵深处逃逸出来,即气体对Cerenkov线显得更为“透明”。对于光学厚的致密气体,只要有足够的相对论电子,Cerenkov线强就会超过通常的复合与碰撞激发线,成为主要机制。文中以 3C 273为例,表明只要Ne?10⁴—10⁶cm^-3,则计算的L_a线总光度即可与观测相符。     

A Wafer-Level Sn-Rich Au-Sn Bonding Technique and Its Application in Surface Plasmon Resonance Sensors

Sn-rich Au Sn solder bonding is systematically investigated. High shear strength （64 MPa） and good hermeticity （a leak rate lower than 1 × 10-7 torr.1/s） are obtained for Au-Sn solder with 54wt% Sn bonded at 310℃. The AuSn2 phase with the highest Vickers-hardness among the four stable intermetMlic compounds of the Au Sn system makes a major contribution to the high bonding strength. This bonding technique has been successfully used to package the Surface Plasmon Resonance （SPR） sensors. The Sn-rieh Au-Sn solder bonding provides a reliable, low-cost, low-temperature and wafer-level hermetic packaging solution for the micro-electromechanical system devices and has potential applications in high-end biomedical sensors.     

硒化亚铜薄膜热电性能研究进展

热电材料可以实现热能和电能的相互转换,它是一种环境友好的功能性材料.当前,热电材料的热电转换效率低,这严重制约了热电器件的大规模应用,因此寻找更加优异热电性能的新材料或提高传统热电材料的热电性能成为热电研究的主题.与块状材料相比,薄膜具有二维的宏观性质和一维的纳米结构特性,方便研究材料的物理机制与性能的关系,还适用于制...     

能级填充对量子阱光学性质的影响

在特殊设计的三势垒双势阱结构中，利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿 逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态，发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark 效应的作用.在极低偏压下，量子阱中少量过剩电子诱发了用简单带—带跃迁无法解释的光致发光光谱行为. 关键词： 共振隧穿 光致发光 量子限制Stark效应 过剩电子