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1.
Ann-Sophie Persson Eric Westman Fu-Hua Wang Firoj Hossain Khan Christian Spenger Catharina Lavebratt 《BMC neuroscience》2007,8(1):10
Background
Mutations in the Shaker-like voltage-gated potassium channel Kv1.1 are known to cause episodic ataxia type 1 and temporal lobe epilepsy. Mice that express a malfunctional, truncated Kv1.1 (BALB/cByJ-Kv1.1 mceph/mceph ) show a markedly enlarged hippocampus and ventral cortex in adulthood. 相似文献2.
采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs 缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi 缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质. 在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键. CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降. CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂. 纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关. 相似文献
3.
4.
Impact of CHFa Plasma Treatment on A1GaN/GaN HEMTs Identified by Low-Temperature Measurement
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We investigate the impact of CHFa plasma treatment on the performance of AIGaN/GaN HEMT (F-HEMT) by a temperature-dependent measurement in the thermal range from 6 K to 295 K. Tlle temperature dependence of the transconductance characteristics in F-HEMT declares that the Coulomb scattering and the optical phonon scattering are effectively enhanced by the fluorine ions in the A1GaN layer. The fluorine ions not only provide immobile negative charges to deplete 2DEG, but also enhance the Schottky barrier height of the metal gate. Thermal activation of the carrier traps induced by CHF3 plasma for F-HEMT contributes to the negative shift of the threshold voltage by -3.4mV/℃ with the increasing temperature. The reverse gate-leakage current of F-HEMT is decreased by more than two-order magnitude in comparison with that of conventional A1GaN/GaN HEMT (C-HEMT) without fluorine ions. 相似文献
5.
6.
搅拌棒固相萃取与液相色谱联用测定水样品中烷基酚类污染物 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了简单、快速、灵敏测定水环境中的双酚A(BPA)、辛基酚(OP)、壬基酚(NP)的方法。以聚(N-乙烯基咪唑-二乙烯基苯)整体材料为涂层的搅拌棒固相萃取技术富集目标物,然后与高效液相色谱-二极管阵列检测器联用测定水样品中烷基酚类污染物。考察了萃取时间、解析时间、样品基质的pH值、离子强度等实验条件对萃取效率的影响。在最佳条件下,3种目标化合物的线性范围是1.0~200μg/L,检出限LOD(S/N=3)在0.13~0.66μg/L之间,定量限LOQ(S/N=10)在0.44~2.19μg/L之间。在对海水和污水处理厂的实际水样测定中,3种目标化合物的不同加标水平的回收率为37.8%~101.1%。本方法具有简便、快速、高效、灵敏等优点。 相似文献
7.
8.
A Wafer-Level Sn-Rich Au-Sn Bonding Technique and Its Application in Surface Plasmon Resonance Sensors
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Sn-rich Au Sn solder bonding is systematically investigated. High shear strength (64 MPa) and good hermeticity (a leak rate lower than 1 × 10-7 torr.1/s) are obtained for Au-Sn solder with 54wt% Sn bonded at 310℃. The AuSn2 phase with the highest Vickers-hardness among the four stable intermetMlic compounds of the Au Sn system makes a major contribution to the high bonding strength. This bonding technique has been successfully used to package the Surface Plasmon Resonance (SPR) sensors. The Sn-rieh Au-Sn solder bonding provides a reliable, low-cost, low-temperature and wafer-level hermetic packaging solution for the micro-electromechanical system devices and has potential applications in high-end biomedical sensors. 相似文献
9.
10.