积木式图形发生器及其图形发生方式

大规模集成电路要求图案复杂、线条细、单元面积大的掩模版,这使人工刻图照相的制版方式远不能满足要求。用计算机自动程序控制光学曝光装置,在感光干版上经过许多次的曝光自动拼合成一个复杂图案,这就是图形发生器自动制版方式。因为大规模集成电路掩模的精度高、图案非常复杂,因此拼图的精度和速度是两项关键问题。     

高温氧压单晶炉

许多氧化物单晶的生长都需要很高的温度和高于大气压的氧气氛。通常作为高温炉发热体的石墨、钼、钨等只能在还原性气氛中工作。而当炉温超过1650℃时,碳化硅、二硅化铝等发热体也都会迅速氧化损坏。如果用还原性气氛保护石墨发热体,而在生长单晶的炉膛空间中充以氧气,正如文献[1]的作法,则设备较为复杂而且操作有危险。     

用乳胶室研究超高能γ线的初步结果

我们利用国产的X光片,在3200米高山上建造了小型乳胶室。放置一年左右时间,经过处理、测量得到的初步结果与别人多年得到的结果相比较是一致的。而且在国产X光片上记录的电磁簇射黑斑,层次清晰,颗粒较细。     

掺钕钇铝石榴石单晶的位错研究

在采用引上法工艺生长掺钕钇铝石榴石(YAG:Nd)单晶时,为了要得到结构完善的激光晶体,必须设法降低晶体中的位错密度。通过一系列工作,认为在晶体生长过程中,位错走向与固液界面保持垂直的关系。在由凸的固液界面形成小晶面的晶体中,位错密度低的原因是因为凸的固液界面可使晶体中心部分的位错散失在边稜以外。因此,采用合适的工艺条件:即在生长过程中有意识地改变固液界面形状,可使晶体达到既能消除小晶面,又降低位错密度的目的。     

CT-6托卡马克研究(Ⅰ)——实验装置的研制和调试

托卡马克是一种产生高温环形等离子体的聚变实验装置,也是一类复杂的现代化的电物理装备。CT-6是我国首先投入运行的小型托卡马克装置,其主要参数为:大半径45cm;小半径9.2cm;环向磁场2TL;等离子电流30kA;经过调试阶段,达到了预期目标,产生了平衡、稳定的电子温度为250eV左右的环形高温等离子体。CT-6由电磁系统(包括环向场、涡旋场、平衡场)、超高真空系统(包括环形真空室和抽气机组)、电源控制系统和诊断测量系统等部份组成,它是由中国科学院物理研究所、电工研究所及其他许多单位协作研制成功的。本文描述CT-6装置的设计、结构、工程研制和调试过程,以及有关的试验结果。 关键词：     

水平区熔法制备低位错掺碲砷化镓单晶

制备低位错砷化镓单晶的工作1971年已有报道。近年来,我们研究用平水区熔法制备低位错砷化镓单晶的工艺。目前可使砷化镓晶体中的位错密度基本控制在100厘米~(-2)的数量级。     

瞬时相互作用近似下介子结构波函数的一些探讨(Ⅱ)——赝标介子和矢量介子的谐振子模型

本文在文献[1]基础上讨论由一对正反层子组成的介子结构波函数。假定层子质量很重,相互作用是谐振子位阱,旋量耦合方式符合一定的要求,则可以普遍给出以下结果:(1)自动给出质量谱的平方等距关系,又可以避免通常谐振子基态能级过高的困难;(2)如果层子原始弱流为V-A型,层子原始电磁流无反常磁矩项,可以解决赝标介子二体轻子衰变Cabibbo角的不谐调和矢量介子衰变到e⁺e^-几率比的困难;(3)只要在相互作用中引入很小比例的SU(3)破坏项,就足以解释现有介子质量的SU(3)分裂。这就对为什么K-π质量差3.5倍却在许多情况下表现有相当好的SU(3)对称性给以一个合理解释;(4)方程的展开和波函数都有较好的近似性;(5)介子中层子反层子分布半径与现有关于介子电磁半径的实验量级是可以谐调的;(6)介子结构波函数的旋量结构和动量结构都是完全确定的。     

高温高压下立方氮化硼的合成

用Mg和Mg₃N₂作触媒,以LiH作添加剂,在55—64千巴及1700—2100℃的高温高压下,进行了由六方氮化硼到立方氮化硼的合成。对合成晶体作了结构与有关性能的鉴定和测试。晶体表面上杂质、缺陷、生长中心和台阶结构的显微观察表明,高温高压下合成的立方氮化硼晶体具有通常条件下晶体生长的一般特征。对密切依赖于温度、压力状况及触媒组装的合成结果进行了分析和讨论。文中特别报道了触媒中少量LiH的加入对提高晶体粒度和质量的显著效果,其中获得了1毫米以上的大颗粒立方氮化硼晶体。     

干法显影的电子束抗蚀剂——聚环己烯砜叠氮系

本文研究了用四氟化碳-氧等离子体进行干法显影的电子束刻蚀技术。负型电子束抗蚀剂是由聚环己烯砜和2,6-双-(4'-叠氮苯亚甲基)-4-甲基环己酮组成,其灵敏度为1.5×10^-5C/cm²,分辨率小于1μm,反差约1.43。并讨论了干法显影的影响因素和机理。