首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   260773篇
  免费   39436篇
  国内免费   28612篇
化学   171520篇
晶体学   2849篇
力学   17468篇
综合类   2115篇
数学   35502篇
物理学   99367篇
  2024年   756篇
  2023年   4405篇
  2022年   8000篇
  2021年   8607篇
  2020年   9317篇
  2019年   8864篇
  2018年   8344篇
  2017年   7738篇
  2016年   11513篇
  2015年   11409篇
  2014年   14120篇
  2013年   18618篇
  2012年   22189篇
  2011年   23183篇
  2010年   16142篇
  2009年   15678篇
  2008年   16740篇
  2007年   15100篇
  2006年   14213篇
  2005年   11915篇
  2004年   9521篇
  2003年   7670篇
  2002年   7129篇
  2001年   6088篇
  2000年   5454篇
  1999年   5703篇
  1998年   4895篇
  1997年   4508篇
  1996年   4624篇
  1995年   3953篇
  1994年   3614篇
  1993年   3077篇
  1992年   2785篇
  1991年   2386篇
  1990年   1972篇
  1989年   1609篇
  1988年   1224篇
  1987年   1057篇
  1986年   986篇
  1985年   883篇
  1984年   595篇
  1983年   474篇
  1982年   395篇
  1981年   272篇
  1980年   196篇
  1979年   101篇
  1978年   84篇
  1976年   87篇
  1975年   94篇
  1973年   84篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
In this article, we construct and analyze a residual-based a posteriori error estimator for a quadratic finite volume method (FVM) for solving nonlinear elliptic partial differential equations with homogeneous Dirichlet boundary conditions. We shall prove that the a posteriori error estimator yields the global upper and local lower bounds for the norm error of the FVM. So that the a posteriori error estimator is equivalent to the true error in a certain sense. Numerical experiments are performed to illustrate the theoretical results.  相似文献   
4.
The γcmc values of CTAB-SDS decrease from 63.67 mN/m at 10‡C to 36.38 mN/m at 90‡C, slightly lower than those of either CTAB or SDS. Correspondingly, the CMC of CTAB-SDS decreases almost by half. The increase of surface activity of CTAB-SDS can be attributed to the relatively weak electrostatic interaction at high temperature, which is supported by the increase of solubility of CTAB-SDS with rise in temperature. Catalytic effect on oxidation of toluene derivatives with potassium permanganate follows the order CTAB-SDS > SDS > CTAB. This is not caused by the dissociative effect of CTAB-SDS with low surface activity at low temperature, as seen from the fact that almost all oxidative products can be retrieved for different toluene derivatives and surfactants by mimicking the conditions of reaction. In the emulsifications of toluene derivatives at 90‡C, the time that turbid water layers of surfactant solutions take to become clear is the same as that of the catalytic effect on oxidation of toluene derivatives. Thus, it can be inferred that surfactants can improve the oxidation yields of toluene derivatives by increasing the contact between two reacting phases.  相似文献   
5.
A new procedure for the selective oxidation of alcohols to the corresponding aldehydes and ketones with potassium permanganate supported on aluminum silicate at room temperature under solvent-free conditions and shaking is reported.  相似文献   
6.
陈理  侯明山 《波谱学杂志》1991,8(3):275-282
在氢化丁苯共聚物13C-NMR谱脂肪碳部分谱带归属的基础上,根据各谱带的主要来源,推导出六个二单元浓度的计算公式。计算出二单元、一单元的相对含量,各结构单元的数均序列长度、嵌段含量和其它结构参数。加氢前后的1H-和13C-NMR谱的组成计算结果基本一致。初步探讨了作为粘度指数改进剂的氢化丁苯共聚物微观结构与性能的关系,为合成提供了依据。  相似文献   
7.
张芷芬  李承治 《数学进展》1997,26(5):445-460
本文研究了一类具有两个鞍点和一个中心的通用二次哈密尔顿向量场在二次扰动下的三参数开折,证明极限环的最小上界为2。  相似文献   
8.
玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光   总被引:4,自引:0,他引:4  
许武  黄世华 《发光学报》1997,18(4):298-300
系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.  相似文献   
9.
非线性光纤方向耦合器孤子动力特性分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
吴智勇  王子华 《光子学报》1997,26(3):233-236
利用变分方法,导出了双曲正割型光孤子在非线性光纤耦合器中传输时满足的动力学方程组,分析了该方程组的平衡点性态,讨论了光孤子的开关特性.指出参数|β|<2π.是能实现完全的开关操作的必要条件.  相似文献   
10.
提出用溶胶粒子表面修饰方法,结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜.该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用,经溶胶凝胶过程,将活性组分结合到无机膜中.实验测定结果表明:(NiEDTA)2-,VO-3,MoO2-4,(Pd(NH3)4)2+,PdCl2-4,PtCl2-6和RhCl3-6可用来修饰AlOOH溶胶.以Pd/γAl2O3催化膜的制备为例,经三次溶胶凝胶过程,可制得无裂缺的厚度为9μm的Pd/γAl2O3催化膜,膜材料的平均孔直径为6nm,Pd被均匀地分布在膜的顶层,其平均粒径为23nm.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号