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1.
P. G. Baranov N. G. Romanov A. Hofstaetter A. Scharmann C. Schnorr F. J. Ahlers K. Pierz 《JETP Letters》1996,64(10):754-759
Two types of excitons, localized at opposite interfaces and characterized by different magnitudes of the exchange interactions
at the same radiation energies, are simultaneously in type-II GaAs/AlAs superlattices. It is shown that the additional long-wavelength
luminescence line in superlattices grown with growth interruptions after the GaAs layers is due to the recombination of an
exciton localized at an inverted interface in regions where the quantum-well width is increased by one monolayer.
Pis’ma Zh. éksp. Teor. Fiz. 64, No. 10, 701–706 (25 November 1996) 相似文献
2.
Lui Lam Flonnie Dowell Helmut Brand Guenter Ahlers 《Journal of statistical physics》1991,64(5-6):899-901
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