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1.
将电负性差法估算的GaxIn1-xAs1-ySby/InP和GaxIn1-xAs1-ySby/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的GaxIn1-xAs1-ySby/InAs异质外延材料。GaxIn1-xAs1-ySby/InP的固体组份为...  相似文献   
2.
电刷镀技术     
电刷镀在国内又名快速电镀、涂镀、快速笔涂电镀及无槽电镀等。经全国协作组组长单位讨论,建议全国统一采用 ISO 国际标准2080-81条中的名称“Brush Electroplating”——电刷镀。我们认为《电刷镀》的名称较切合这一技  相似文献   
3.
高玉竹  王卓伟  龚秀英 《光子学报》2009,38(5):1231-1234
为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12 μm的p型-InAsSb 外延层.用傅里叶红外光谱仪、Van der Pauw 法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77 K下测得,载流子浓度为9.18×1016 cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1 120 cm2·Vs-1.  相似文献   
4.
为了获得P型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的P型-InAsSb外延层.用傅里叶红外光谱仪、VanderPauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.01Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77K下测得,载流子浓度为9.18×10^16cm^-3的掺Ge的P型-InAS0.01Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1120cm^2·Vs^-1.  相似文献   
5.
快速电镀技术(又称刷镀)应用于金属零件的保护、修复和改善其表面物化性能等方面,具有很大的经济价值。在国外,快速电镀修复工艺已广泛地应用于铁路、飞机、船舶、电子元件和印刷电路等方面。在发展快速电镀技术中,快速电镀溶液是重要的环节。我们分析的快速镀铜液样品是深蓝色的酸性水溶液,pH为1.4,具有优良的导电性能和很高的电化沉积速度。通常,分析电镀溶液时,除定量地鉴定出何种金属盐外,还必须分析出主要的添加成份.本文仅报导金属盐的分析方法和结果。分析方法与给.讨论现在常用的镀铜液有焦磷酸盐、乙二胺、氰化物和硫酸盐镀铜液.  相似文献   
6.
为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12 μm的p型-InAsSb 外延层.用傅里叶红外光谱仪、Van der Pauw 法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77 K下测得,载流子浓度为9.18×1016 cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1 120 cm2·Vs-1.  相似文献   
7.
以Pd-Al_2O_3(1%)催化氢化全氟丙烯二聚体4和5均可得到混合的氢化产物。由4主要得到加氧产物7;由5主要得到脱去氟化氢再加氢的产物8。四氟乙烯四聚体6氢化后可得到混合产物9a和9b,它们是氢化后失去一分子氟化氢的含氟烯烃。上述氢化产物先经制备色谱分离制备,再经1~H和(19)~F核磁共振、红外、质谱等分析,证明了结构。上述催化剂不能催化氢化四氟乙烯的五聚体。  相似文献   
8.
快速电刷镀技术在机械维修方面起着十分重要的作用。此技术具有设备简单、操作方便、工艺灵活、修复速度快、效率高等优点,并能修复其它技术难以解决的机械零部件。在快速电刷镀工艺中,除了电源和镀笔之外,镀液是关键材料,它分为电净液、活化液、单金属镀液和合  相似文献   
9.
用内插法和电负性差法估算了GaInAsSb的晶格常数,并用液相外延法在665℃—625℃的温度范围内第一次成功地生长了品格匹配于(100)和(111)B取向的InP衬底的GaInAsSb外延层。测得固体组分的范围为0.46相似文献   
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