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为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12 μm的p型-InAsSb 外延层.用傅里叶红外光谱仪、Van der Pauw 法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77 K下测得,载流子浓度为9.18×1016 cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1 120 cm2·Vs-1. 相似文献
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为了获得P型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的P型-InAsSb外延层.用傅里叶红外光谱仪、VanderPauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.01Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77K下测得,载流子浓度为9.18×10^16cm^-3的掺Ge的P型-InAS0.01Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1120cm^2·Vs^-1. 相似文献
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快速电镀技术(又称刷镀)应用于金属零件的保护、修复和改善其表面物化性能等方面,具有很大的经济价值。在国外,快速电镀修复工艺已广泛地应用于铁路、飞机、船舶、电子元件和印刷电路等方面。在发展快速电镀技术中,快速电镀溶液是重要的环节。我们分析的快速镀铜液样品是深蓝色的酸性水溶液,pH为1.4,具有优良的导电性能和很高的电化沉积速度。通常,分析电镀溶液时,除定量地鉴定出何种金属盐外,还必须分析出主要的添加成份.本文仅报导金属盐的分析方法和结果。分析方法与给.讨论现在常用的镀铜液有焦磷酸盐、乙二胺、氰化物和硫酸盐镀铜液. 相似文献
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为了获得p-型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响,用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12 μm的p型-InAsSb 外延层.用傅里叶红外光谱仪、Van der Pauw 法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布.结果表明,两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.04Sb0.96材料中起受主杂质作用.当外延层的组分相同时,材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化,但是随着外延层中掺Ge量的增加,外延层的透射率下降.掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的.77 K下测得,载流子浓度为9.18×1016 cm-3的掺Ge的p型-InAs0.04Sb0.96样品,其空穴迁移率达到1 120 cm2·Vs-1. 相似文献
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用内插法和电负性差法估算了GaInAsSb的晶格常数,并用液相外延法在665℃—625℃的温度范围内第一次成功地生长了品格匹配于(100)和(111)B取向的InP衬底的GaInAsSb外延层。测得固体组分的范围为0.46相似文献
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