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负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
对GaAs光导开关非线性工作时,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况.计算表明GaAs材料的负微分迁移率引起的微分负阻,会导致阴极附近电场的动态增强,使得阴极附近的电场达到本征碰撞电离发生的阈值电场,从而引发本征碰撞电离的发生.分析结果表明,碰撞电离可以极大地延长电流输出的时间,但仅考虑负微分迁移率特性的本征碰撞电离过程不足以完全解释观察到的所有非线性现象,必须进一步考虑其它高电场效应. 相似文献
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电压模式控制boost变换器能产生多种分岔形式,对其分岔中的一类重要的切分岔现象进行了详细研究. 首先根据系统的一次离散迭代映射推导出其三次离散迭代映射模型,基于非线性系统理论中的切分岔定理, 从数学上推导出此类变换器产生切分岔现象的条件,并通过数值仿真研究了电路参数对这类变换器切分岔现象的影响.研究结果表明:当系统的反馈系数处在一定范围内时,该类变换器会出现切分岔和阵发混沌现象. 最后通过实验研究boost变换器中存在的这类不稳定非线性现象,验证了理论分析和数值仿真的正确性. 相似文献
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高压GaAs光导开关的锁定及延迟效应机理分析 总被引:6,自引:0,他引:6
利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关(PCSS's)的动态非线性特性,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真研究,仿真结果表明深能级陷阱能显著影响开关中的电场,载流子,电流密度等分布,引起电流的延迟,使开关中某些区域的电场动态增强,并足以达到雪崩的强度,从而引起载流子雪崩倍增,并在外电路的作用下,使开关进入锁定状态,仿真结果与实验现象基本相符,由此得出结论:高压GaAs光导开关实验中所观察到的锁定及延迟等现象均与开关材料中故意或非故障引入的深能级陷阱密切相关。 相似文献
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