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Mn4N是立方相的反钙钛矿型晶体,具有显著的亚铁磁性和反常霍尔效应.该文利用等离子辅助分子束外延在MgO(100)衬底上生长厚度为40 nm的Mn4N(100)单晶薄膜,通过X射线衍射θ扫描和φ扫描,证实外延层的结构符合Mn4N单晶的空间结构特征;化学态测试结果表明Mn4N(100)薄膜内部存在Mn0、Mn2+和Mn4+等几种价态,其实际化学式为Mn3.6N,薄膜中存在富余的N元素;电学测试数据表明Mn4N(100)薄膜具有以电子为载流子的反常霍尔效应(在正磁场中得到负的霍尔电阻率),正常霍尔效应的贡献约占千分之六,其反常霍尔电阻率随着测试温度升高5 K~350 K单调增大,说明温度升高导致电子散射现象加剧.通过对测试数据分析可以推断,在5 K~50 K和50 K~75 K温度范围,反常霍尔效应的来源可分别归结为电子斜散射机制和电子边跳机制.在75 K~350 K这一温度范围内,反常霍尔效应... 相似文献
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