压力修正算法对刮削层等离子体输运方程数值求解性能的影响

基于C++撰写测试程序,研究SIMPLE(Semi-Implicit Method for Pressure Linked Equations)、 SIMPLEC(SIMPLE Consistent)、 SIMPLER(SIMPLE Revised)、 SIMPLEX(SIMPLE Extrapolation)以及PISO(Pressure-Implicit with Splitting of Operators)等压力修正算法对刮削层等离子体Braginskii输运方程数值求解性能的影响。测试程序采用SOLPS(Scrape-Off Layer Plasma Simulation)的等离子体模型方程,数值计算针对简化平板模型开展。结果表明：5种压力修正算法均能使程序收敛至正确的结果,其中PISO算法的收敛速度最快,SIMPLE、 SIMPLEC、 SIMPLER、 SIMPLEX的收敛速度无明显差异。     

CFETR包层等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响

基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型.在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响.结果表明,垂直位移增长率随着包层整体等效电阻率的增加近似线性增大;降低极向±60°附近的等效电阻率,能减...