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采用Raney Ni为催化剂,考察了反应温度、压力、时间和溶剂对二亚糠基丙酮加氢制取长链烷烃前驱体催化性能的影响。结果表明,Raney Ni对二亚糠基丙酮具有很好的低温加氢性能,升高反应温度和压力均有利于加氢反应的进行,但过高的温度反而不利于加氢反应。在50℃和2.5 MPa下反应2 h,二亚糠基丙酮转化率达99.5%以上,饱和加氢产物的总选择性达到80.8%。此外,加氢中间产物的变化结果表明,二亚糠基丙酮的双键加氢容易程度为,烯键>呋喃环双键>C=O双键。Raney Ni 在甲醇溶剂中的加氢性能明显高于在四氢呋喃、环己烷或水溶剂中的加氢性能。 相似文献
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在密度泛函理论水平上,利用响应函数方法,研究了1-{(1E)-2-[4-(二苯胺基)苯基]乙烯基}-4-[4-N,N-二甲胺]苯(PVMB)和1-[(1E)-2-(4-(1E)-2-{4-[4-N,N-二甲胺]苯基}乙烯基)苯基]苯胺}苯基)乙烯基]-4-[4-N,N-二甲胺]苯(DPVMB)两分子的双光子吸收特性.计算结果表明,这两个化合物都具有较好的双光子吸收特性,且具有两分支结构的DPVMB分子比具有单支结构的PVMB分子有更强的双光子吸收强度.计算数值结果和实验结果符合地较好. 相似文献
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We study the mechanism of van der Waals(vdW)interactions on phonon transport in atomic scale,which would boost developments in heat management and energy conversion.Commonly,the vdW interactions are regarded as a hindrance in phonon transport.Here we propose that the vdW confinement can enhance phonon transport.Through molecular dynamics simulations,it is realized that the vdW confinement is able to make more than two-fold enhancement on thermal conductivity of both polyethylene single chain and graphene nanoribbon.The quantitative analyses of morphology,local vdW potential energy and dynamical properties are carried out to reveal the underlying physical mechanism.It is found that the confined vdW potential barriers reduce the atomic thermal displacement magnitudes,leading to less phonon scattering and facilitating thermal transport.Our study offers a new strategy to modulate the phonon transport. 相似文献
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基于分形粗糙表面的三维数值重构技术,对界面微孔结构的分形表征进行详细研究,并应用分形多孔介质输运理论构建界面泄漏机理模型,建立微观形貌与宏观泄漏率之间的理论关系式.用有限元分析法对单粗糙峰的接触变形进行模拟,获得最大孔径的变形位移,实现微观接触力学与微观泄漏模型的有效耦合.应用所提出的预测模型对金属垫片泄漏率进行计算,结果与已有实验结果相吻合.由预测模型可知,粗糙表面分形维数、特征尺度系数以及变形位移量对微孔几何结构影响显著,是影响界面泄漏率的关键因素. 相似文献
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采用"机械混合-焙烧"方法制备了负载型固体碱催化剂MgO/NaY,研究了糠醛与丙酮在水-乙醇体系中的羟醛缩合反应,考察了催化剂负载量、原料配比、反应温度、反应时间等因素对催化剂性能的影响。结果表明,20%MgO/NaY催化剂表现出最佳的催化性能,在85℃条件下反应8 h后,糠醛转化率达到99.6%,亚糠基丙酮(FA)和二亚糠基丙酮(F2A)选择性分别达到42.2%和57.1%,缩合产物的总收率为98.6%。高温促进反应中间体向产物的转化,有利于提高产物的总选择性。改变糠醛/丙酮的摩尔比可调控两种缩合产物的选择性,较高的糠醛/丙酮摩尔比有利于提高F2A的选择性,但会降低整体反应速率。重复性评价表明,催化剂具有较好的再生性能。 相似文献
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Contact resistance asymmetry of amorphous indium–gallium–zinc–oxide thin-film transistors by scanning Kelvin probe microscopy 下载免费PDF全文
In this work, a method based on scanning Kelvin probe microscopy is proposed to separately extract source/drain(S/D) series resistance in operating amorphous indium–gallium–zinc–oxide(a-IGZO) thin-film transistors. The asymmetry behavior of S/D contact resistance is deduced and the underlying physics is discussed. The present results suggest that the asymmetry of S/D contact resistance is caused by the difference in bias conditions of the Schottky-like junction at the contact interface induced by the parasitic reaction between contact metal and a-IGZO. The overall contact resistance should be determined by both the bulk channel resistance of the contact region and the interface properties of the metalsemiconductor junction. 相似文献
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对实验室合成的双共轭链分子1,4-二(4-二乙胺基苯乙烯基)-2-[4-(N-甲基-N-羟乙基)氨基-4′-硝基偶氮苯]-5-己烷氧基苯(BSBAB)及合成它的单共轭链分子的单光子和双光子吸收特性在从头计算的基础上利用密度泛函理论进行了研究.分子BSBAB的优化结构显示,组成该分子的横链和纵链除了保持各自的共轭面外,几近相互垂直.因此,分子BSBAB较好地继承了两个单共轭链分子的光学特性.计算结果表明,在低能量范围内,分子BSBAB具有三个双光子吸收峰,分别来自于两个单共轭链分子以及两者的耦合作用.从理论上证明了双共轭链分子BSBAB是一种具有宽带强双光子吸收的分子材料.理论结果和实验结果符合得较好.在HF水平上的响应函数方法进一步证实了有限态求和方法计算结果的可靠性.还给出了电荷转移态的电荷迁移过程.
关键词:
双光子吸收
双共轭链有机分子
非线性光学 相似文献