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结合生产实际中具体的下料问题,本文建立了该类问题的优化模型,并提出下料方式的遴选三准则,即高利用率优先准则,长度优先准则和时间优先准则.运用本文的算法对一维下料的利用率高达99.6%,机器时间4秒.对二维的利用率为98.9%,机器时间约7秒. 相似文献
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2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统,其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲,激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中,4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间,即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通,使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲,从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构,即一根Blumlein线驱动两个感应腔,因此最多可以实现四脉冲串列。 相似文献
4.
Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature 下载免费PDF全文
Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献
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神经网络法计算镉(Ⅱ),羟基及碳酸根三元体系的形态分布 总被引:2,自引:0,他引:2
采用前馈线笥网络BP算法,计算了Cd62+-OH^-CO^2-3三元体系的累积稳定常数。用Hopfield反馈网络研究了体系中络合物的形态分布。溶液中溶解的CO2对lgβ1的计算结果有重要影响,对lgβ2,lgβ3,lgβ4的结果影响不大。 相似文献
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10.
邓耀华 《数学物理学报(A辑)》1987,(3)
本文是文献[1]的继续,在文中我们将讨论如下Cauchy型奇异积分方程在Orlicz空间L_M中的可解性,其中=U为复平面上有限个互不相交的闭合曲线的集合,T为L_M上的全连续算子。需要指出,早在六十年代初就 相似文献