金属Sn薄膜的高温氧化与表面特征

侧重研究了高温氧化（300－550℃）引起金属Sn薄膜的表面显微形貌和表面氧化状态的变化．利用原子力显微镜（AFM）的测量，观察到金属Sn薄膜表面的金属晶粒呈现近似方形的显微形貌，但是金属Sn氧化薄膜表面的金属氧化物颗粒却具有近似圆形的显微形貌，因此，金属晶粒的高温氧化是一个各向异性的过程．在X射线光电子能谱（XPS）测量的基础上，不仅发现在金属Sn薄膜和金属Sn氧化薄膜的表面都存在大量的吸附氧粒子，而且发现吸附氧粒子的吸附形式与表面的氧化程度有关 关键词：     

SiC埋层的制备及其红外吸收特性

采用metal vapor vacuum arc离子源的离子束合成方法，对单晶Si衬底注入C^＋离子，获得不同剂量下的SiC埋层．C^＋离子束的引出电压为50kV，注入的剂量为3.0×10¹⁷—1.6×10¹⁸cm^-2．通过红外吸收谱的测试和分析，表明SiC埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于400℃）得到含立方相结构的SiC埋层． 关键词：     

C+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱

利用metal vapor vacuum arc离子源产生的C⁺离子，注入单晶Si衬底，得到了SiC埋层.利用X射线光电子能谱，研究了SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱.结果表明：Si2p的特征能量损失谱依赖于SiC埋层中C原子的浓度分布，并且与SiC埋层的有序度对应. 关键词：