Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象

本文报道了从粒子背散射堵塞效应的实验中所发现的单晶Si的{111}晶面粒子堵塞坑的新现象。单晶Si的{111}晶面有两个面间距d_{(111)^(a)和d(111)^(b),而{110}晶面只有一个面间距d(110)。由此导致两者的堵塞坑是不同的,我们已从α粒子和质子的Si单晶堵塞效应的实验得到了证实。并由此估计了d(111)^(a)和d(111)^(b)以及d(110)的2ψ1/2角。据作者了解,到目前为止,国内外还没有人发现此现象。此现象的发现对复杂晶体的堵塞和沟道效应的研究开阔了前景。 关键词：}     

Si,GaAs和LiNbO3单晶的堵塞效应

我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO₃单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ_1/2值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ_1/2值。 关键词：     

Si(Li)谱仪测量X射线荧光谱中CrK_β谱线化学位移的探索

采用放射源２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４中ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

油中金属元素的能量色散X射线荧光分析 Ⅰ.氧化镁吸收油热分解制样法

本文介绍了用氧化镁吸收油热分解的制样方法,而后用能量色散X射线荧光分析法测定油中微量元素。该方法避免了复杂的基体效应校正,作者用此方法测定了油中七种元素,其探测限为几个μg/g。     

Si,GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应

我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO_3单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ_(1/2)值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ_(1/2)值。     

油中金属元素的能量色散X射线荧光分析——Ⅱ.油分析中水标样的应用

油中微量金属元素的分析在工业、环境、石油、地化等许多领域中都具有重要的意义。在上文“油中金属元素的能量色散X射线荧光分析Ⅰ”中,我们介绍了一种用氧化镁吸收油然后进行热分解的制样方法,采用能量色散X荧光分析技术进行微量元素的测定。该方法避免了复杂的基体效应校正问题,得到了满意的浓度与荧光强度的线性关系。但在油的定量分析中,配制油的系列标准样品是个困难问题。在国内,目前尚无系列有机金属标准可利用,国际上公认的由美国国家标