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采用传统固相法在1100℃合成了SrGe_(4-x)O 9∶x Mn^(4+)(SGOM)系列荧光粉,通过Ba^(2+)取代Sr 2+调制了荧光粉基质的局部结构,对样品的晶体结构、发光性质和热稳定性进行了探讨。XRD测试结果表明,Mn^(4+)和Ba^(2+)均成功地掺杂进入基质SrGe_(4)O_(9)晶格,没有其他物相产生。在275 nm紫外光激发下,SGOM荧光粉的发射光谱是位于600~750 nm的深红色谱带,峰值波长位于660 nm,主要源于Mn 4+离子^(2)E g→^(4)A _(2g)能级跃迁的窄带发射,优化的Mn^(4+)浓度为0.015。利用Ba^(2+)离子对SrGe _(3.985) O _(9)∶0.015Mn^(4+)荧光粉的发光性质进行调控,发现随着Ba^(2+)浓度增大,发射光谱的强度先上升后下降,最佳Ba^(2+)浓度为0.4。Ba^(2+)离子的引入造成基质结构中Sr1O10多面体产生局部扩张,导致样品的发射光谱展宽。为了解决封装白光LED中有机材料存在的难以承受发热的问题,制备出了基于SrGe _(3.985) O _(9)∶0.015Mn^(4+)荧光粉的荧光玻璃。优良的发光性质和热稳定性使SGOM荧光粉具备了应用于白光LED器件的前景。 相似文献
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SrAl12O19:Mn4+是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg2+、Zn2+和Ge4+离子的掺杂效应以及Ga3+、Ca2+和Ba2+离子的取代效应对SrAl12O19:Mn4+荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备,焙烧温度在1 250~1 500 ℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度,用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出,与未进行Mg2+或Zn2+掺杂的样品相比,Mg2+或Zn2+离子对Al3+格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%,其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn4+离子进入晶格,其过程可以表示为:MO+MnO2⇔MAl''+MAl·+3OO×(M=Mg,Zn),电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge4+离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ga3+离子可以取代Al3+离子形成全范围的固溶体,其中少量Ga3+离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%,而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca2+和Ba2+对Sr2+的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca2+的取代使材料的发光性能提高;而 Ba2+的取代使材料的发光强度下降。 相似文献
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SrAl12O19:Mn4+是一种用于高显色性白光发光二极管的候选红色荧光材料。本论文研究了Mg2+、Zn2+和Ge4+离子的掺杂效应以及Ge3+、Ca2+和Ba2+离子的取代效应SrAl12O19:Mn4+荧光材料性能的影响。样品通过高温固相反应制备,焙烧温度在1 250~ 1 500℃之间。利用X射线衍射技术表征了材料的相纯度,用荧光激发光谱和发射光谱表征了材料的荧光性能。研究结果指出,与未进行Mg2+或Zn2+掺杂的样品相比,Mg2+或Zn2+离子对Al3+格位的掺杂可以使材料的发光强度提高~60%,其原因被认为是掺杂促进了激活剂Mn4+离子进入晶格,其过程可以表示为:MO+MnO2=MAl''+MnAl·+3OO×(M=Mg,Zn),电子顺磁共振谱支持这一结果。Ge4+离子的掺杂使材料的发光性能明显下降。Ge3+离子可以取代Al3+离子形成全范围的固溶体,其中少量Ge3+离子的掺杂可以使材料的荧光发射强度提高~13%,而掺杂量进一步提高使材料的荧光性能下降。Ca2+和Ba2+对Sr2+的取代仅形成有限范围的固溶体。Ca2+的取代使材料的发光性能提高;而 Ba2+的取代使材料的发光强度下降。 相似文献
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