硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究

采用Bridgman法生长出尺寸为Ф15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰,沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的．由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致．     

径向线内电子束的空间极限电流

为了对径向线内电子束的空间极限电流及相关物理参量进行分析, 在径向方向无穷长与束流密度轴向均匀的假设条件下, 对电势满足的线性泊松方程进行了解析求解, 得到了空间极限电流的解析表达式, 接下来对束流密度轴向非均匀分析条件下电势满足的非线性方程进行了数值求解, 并与解析结果进行了对比。研究表明径向电子束具有较高的空间极限电流且当束流接近于极限电流传输时, 束密度的非均匀性明显增加, 相关结论可以为径向高功率微波器件的设计提供指导。     

AgGa1—xInxSe2晶体的蚀坑研究

晶体的质量是其元器件制备的关键之一,蚀坑密度（EPD）的观测是检验晶体质量的一个重要方法．用改进的Bridgman法长长出AgGa2-xInxSe2（x=0．2）单晶,通过化学腐蚀和金相显微镜研究了（101）晶面蚀坑的形貌、分布特征及其密度的大小．结果表明：采用HNO3：HCl=1：2．5的配方,在室温下腐蚀5min,获得了较好的梯形蚀坑．发现晶体的缺陷主要是位错,并初步讨论了蚀坑的成因及其克服的措施,为高质量晶体元件的制备奠定了基础．