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以CdSe纳米晶体为核,用胶体化学的方法,通过化学替代反应,获得了不同阱层或不同垒层的CdSeHgSeCdSe量子点量子阱(QDQW)晶体.紫外可见光吸收谱研究表明,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从0.9nm至0,可以调节QDQW颗粒的带隙从1.8变化至2.1eV,实现QDQW纳米晶体的剪裁.光致荧光(PL)谱研究显示,QDQW形成后,CdSeHgSe纳米颗粒表面态得到钝化,显现出发光强度加强的带边荧光峰.利用有效质量近似模型,对QDQW晶粒内部电子的1s—1s态进行了估算,估算结果总体趋势与实验数据相符
关键词:
量子点量子阱晶体 能带剪裁 加强的带边荧光峰 相似文献
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运用胶体化学法合成了尺寸可控的二氧化硅(SiO2)亚微米溶胶小球.透射电子显微镜(TEM)结果显示样品平均尺寸可从200nm变化至600nm,单分散性较高、平均标准偏差小于5%.通过自然沉积法,由溶胶SiO2小球自组织晶化制备了人工蛋白石晶体(opal晶体)结构.样品的剖面扫描电子显微镜(SEM)检测表明,样品为面心立方(fcc)结构.分析表明,较高的单分散性和缓慢的沉积过程是SiO2溶胶小球自组织晶化成三维有序结构的关键因素.反射谱中峰位在1320nm处的反射峰的出现,意味着样品在宏观尺度上的有序排列,
关键词:
亚微米二氧化硅溶胶小球
人工蛋白石晶体
方向带隙 相似文献
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