排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.991015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0~350 V范围内研究了该探测器对3.5 MeV 粒子电荷收集效率,在0 V时为48.7%,在150 V时为99.4%,表明该探测器具有良好的电荷收集特性。 相似文献
2.
A VME-based experiment system for n-y discrimination using the charge comparison method was established.A data acquisition program for controlling the programmable modules and processing data online via VME64X bus was developed through the use of Lab VIEW.The two-dimensional(2D) scatter plots of the charge in the slow component vs.the total charge from ~(241)Am-Be and ~(252)Cf neutron sources are presented.The 2D scatter plots of the energy vs.the ratio of the charge in the slow component to the total charge of the pulses are also presented.The quality of n-γ discrimination was checked by the figure-of-merit,and the results showed good performance of n-γ discrimination at the low energy range.Neutrons and γ-rays were separated above 50 keVee(electron-equivalent energy).The quality of n-γ discrimination has been improved compared with others' results at five energies(150,250,350,450,550 keVee). 相似文献
3.
为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对粒子的能量分辨率和能量线性度。所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200 V时,其漏电流仅14.92 nA/cm2。采用具有5种主要能量粒子的226Ra源研究其构成的探测系统对粒子的能量分辨率,获得4H-SiC探测系统对4.8~7.7 MeV能量范围内粒子的能量分辨率为0.61%~0.90%,与国际上报道的高分辨4H-SiC探测系统能量分辨率一致。同时,实验结果表明:4H-SiC探测系统对该能量范围内粒子的能量线性度十分优异,线性相关系数为0.999 99。 相似文献
4.
研究了能量为64keV、注量1×1017cm-2的Ni离子注入金红石TiO2单晶制备的植入金属纳米晶的微观结构和磁学性能。注入层的结构和磁学性能采用透射电子显微分析(TEM)和超导量子干涉磁强计(SQUID)进行分析。结果表明,金红石单晶中有尺寸为3~18nm的金属Ni纳米晶生成,注入区域基体明显非晶化。10K温度下金属Ni纳米晶的矫顽力约为16.8kA·m-1,比Ni块材的矫顽力大。样品的零场冷却/有场冷却(ZFC/FC)曲线表明,金属Ni纳米晶的截止温度约为85K。 相似文献
5.
An experimental system aimed at n-γ discrimination using the zero-crossing method with a φ3’’×2’’ BC501A liquid scintillation detector was established and tested with an Am-Be neutron source. Two-dimensional plots of energy versus zero-crossing time were obtained. The quality of n-γ discrimination was checked by the figure-of-merit (FOM), the neutron peak-to-valley ratio, and the proportion of leaked neutrons over all neutron events. The performance of n-γ discrimination in terms of FOM was compared with previous work done by other groups. The n-γ discrimination in four different energy regions with an interval of 0.1 MeV between 0.3 MeV and 0.7 MeV was studied, and the results indicate that the n-γ discrimination threshold can go down to 0.4 MeV. 相似文献
6.
对脉冲堆而言,在无强吸收介质时,堆外任何一点的中子谱可近似地由热中子谱、1/E谱和裂变谱叠加而成。根据这一原理,利用包镉的^235U转换靶和裸^235U转换靶在固体径迹探测器上产生的裂变径迹数差,确定热中子谱(镉下中子);用包镉的^235U转换靶和^238U转换靶在固体径迹探测器上产生的裂变径迹数差,获得1/E谱和裂变谱。 相似文献
7.
H+辐照前后W涂层表面的XPS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积的W膜进行了H+辐照前后的XPS分析,研究了H+辐照对W的结合能的影响.分析结果表明,沉积的W膜中除了单质钨外,还有部分钨的氧化物,H+辐照结果表明,H+的辐照使钨的结合能向低能方向偏移;钨的氧化物有所减少,说明污染的氧化物在一定程度上被择优溅射掉. 相似文献
8.
为直接或间接地满足用于模拟试验的中子注量(率)物理诊断测试系统的性能研究、检定(校准、刻度、标定)和测试要求。建立起测量14MeV中子注量(率)的伴随粒子法计量装置,通过比对等量值传递方法溯源到国家、部门或行业有关计量基准和计量标准,并建立量值传递技术。 相似文献
9.
10.
用热释光探测器对快堆堆外n,γ混合场进行了区分测量,结果表明:该方法可有效的检测出n,γ混合场的γ成分;为了更较精确地测量快堆n,γ混合场γ光子注量,提出了采用新配方的热释光探测器LiFTLD(6LiF,7LiF各占50%)与6LiFTLD成对使用的方法.考虑到LiFTLD对中子吸收剂量的响应存在LET效应,对LiF(Mg,Cu,P)TLD进行了中子响应的LET效应因子RLET的实验测定(RLET≈005),在此基础上,对6LiF 7LiFTLD的成对使用测量快中子堆的n,γ混合场中光子注量的方法进行了实验研究.实验结果表明,混合场中的中子在7LiF(Mg,Cu,P)中产生的热释光量(TL)占n,γ产生的总TL的81%—171%.实验结果表明该方法是行之有效的.为钝化中子谱的不确定性所致的影响,进一步提高γ光子注量测量结果的精度,提出了采用新配方的LiFTLD(6LiF,7LiF各占50%)与6LiFTLD成对使用测量快堆n,γ混合场γ光子注量的方法. 相似文献