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微量的杂质、缺陷或其复合体对半导体的物理性质有明显的影响,它们在禁带中形成浅杂质能级或深能级。本文综述关于浅能级的发光分析方法以及关于深能级杂质态的测量方法。  相似文献   
2.
本文简要介绍对GaAsP和GaAlAs两种发光器件进行热激电容和热激电流的测量.看重介绍用电桥电路和锁相放大器测量热激电容的方法,并对测量结果作了初步的讨论.  相似文献   
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