继往开来,任重道远——纪念中国半导体事业五十周年

今年是中国半导体事业五十周年．其实谁也没有这么规定过，也没有任何文件中提到．事实上，中国的半导体事业从新中国一成立就开始进行，那为什么将1956年作为中国半导体事业的开始？主要是因为那一年有几件大事：（1）1956年1月30日到2月4日由中国物理学会主办，全国第一届半导体物理学讨论会在北京召开．（2）1956年在周恩来总理的亲自主持下，制定了1956-1967年《十二年科学技术发展远景规划》．在规划中，将半导体技术列为我国新技术的四大紧急措施之一．（3）1956年高等教育部为落实加快发展我国半导体科学技术事业，尽快培养半导体专门人才的紧急措施，决定在北京大学成立由北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（现吉林大学）组成的中国第一个五校联合半导体专门化，由黄昆任教研室主任，谢希德任教研室副主任．（4）这年9月，高等教育部围绕四大紧急措施在成都创办的“成都电讯工程学院”正式开学招生，设有无线电、计算技术、自动化、半导体及电子真空、有线电等系．从1956年开始，中国的半导体科学技术和人才培养迈开了强劲的步伐．     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

Studies of Spectroscopic Ellipsometry in Cd1-xMnxTe/CdTe Superlattices

Cd1-xMnxTe/CdTe superlattices and thin films were grown by molecular beam epitaxy on GaAs （001） substrates. Spectroscopic ellipsometry measurements were performed on Cd1-x Mnx Te/ CdTe superlattices with compositions x = 0.4, 0.8, and Cd1-xMnx Te thin films with x = 0.2, 0.4, 0.6 at room temperature in the photon energy range 1.4-5 eV. In superlattices the pseudodielectric functions measured by ellipsometry show specific features related to the exciton transition between quantized interbands. The exciton transitions related to the heavy holes of 11 H, 22H, and 33H are observed and identified. In thin films spectroscopic ellipsometry allows the clear identification of the energy gap Eo. Additionally, critical point transitions are observable in both the spectra of the superlattices and films. Photoreflectance spectra were also performed at room temperature in order to compare with our ellipsometry results. After taking into account the strain-induced and quantum confinement effects, the theoretical calculations are in good agreement with our experimental spectra. Ellipsometry appears to be a suited technique to monitor the MBE growth, ultimately also in situ, of diluted magnetic low-dimensional systems.     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

Zn_(1-x)Mn_xTe/ZnTe超晶格的多声子拉曼谱

Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＺｎＴｅ超晶格的多声子拉曼谱陈辰嘉李海涛王学忠李晓莅孙允希王晶晶周赫田（北京大学物理系北京１００８７１）Ｍｕｌｔｉ┐ｐｈｏｎｏｎＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＺｎ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＺｎＴｅＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅＣｈｅｎＣｈｅｎｊ...     

α—NiSO4.6H2O晶体磁园二色谱和吸收谱的研究

用磁园二色谱和光吸收谱对α－ＮｉＳＯ４．６Ｈ２Ｏ晶体进行了测量和研究，实验结果表明在λ＝１８５～３３００ｎｍ范围内存在一系列吸收结构，其中三个主要主要吸收带结构分别对应于晶体中Ｎｉ离子基态到有关激发态的ｄ－ｄ跃迁，对它们进行了初步指认，实验中观测到红带的λ＝６５４ｎｍ和λ＝７１３ｎｍ两结构间存在一系列弱的结构峰，它们主要与自旋轨道耦合相互作用结果有关，在磁园二色谱中还观测到λ＝５８５ｎｍ的强吸收峰     

Ⅱ—Ⅵ族稀磁半导体ZnSe／Zn1—xMnxSe超晶格中的应力效应

本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１￣３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度     

磷通过热生长二氧化硅层在硅中的扩散

用四探针测量薄层电导方法及阳极氧化去层技术,测定了磷在硅中扩散的具体分布,在恒表面浓度下,它们偏离余误差函数分布。如认为这是由于扩散系数是杂质浓度的函数,实验得到了当杂质浓度大于10¹⁹原子/厘米³时,扩散系数随杂质浓度增加而增大的强烈依赖关系。用同样方法测定了磷通过二氧化硅层后在硅中扩散的具体分布,研究了这些杂质分布的特性,实验表明,不同厚度的氧化层在1300℃高温下仍具有掩蔽效应,在完全掩蔽失效时间附近,杂质分布的共同特点是表面浓度较低(～10¹⁷原子/厘米³)、结较浅(～1微米)。对不同厚度的氧化层,经过足够的时间后,硅中表面浓度不受氧化层厚度的影响,而只由扩散源的蒸气压决定。磷通过氧化层后扩散的具体分布情况还与扩散源的性质、条件等密切相关。扩散过程中观察到的氧化层厚度增长有可能影响表面附近杂质的具体分布情况。     

半磁半导体的磁性质

半磁半导体是一类新型的半导体。本文主要阐述半磁半导体中磁的基本性质和描述方法，讨论了顺磁态的半磁半导体和反铁磁相互作用集团的形成，并介绍了顺磁-自旋玻璃的相变。