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磁控反应溅射制备择优取向氮化铝薄膜   总被引:2,自引:1,他引:2  
邢涛  王波  陈轶平  李国星  严辉 《物理实验》2005,25(12):11-14
以氮气为反应气体,采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜.通过XRD测试发现.靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向:大的靶基距及高的溅射气压利于(100)面择优取向,小的靶基距和低的溅射气压利于(002)面择优取向.通过对沉积速率的分析发现.高的沉积速率利于(002)面择优取向,低的沉积速率利于(100)面择优取向.研究结果表明:沉积速率影响了核在衬底表面的生长方向,从而影响了各晶面的生长速度.最终决定薄膜的择优取向.  相似文献   
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