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Separating spins by dwell time of electrons across parallel double δ-magnetic-barrier nanostructure applied by bias
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The dwell time and spin polarization(SP)of electrons tunneling through a parallel doubleδ-magnetic-barrier nanostructure in the presence of a bias voltage is studied theoretically in this work.This nanostructure can be constructed by patterning two asymmetric ferromagnetic stripes on the top and bottom of InAs/AlxIn1-xAs heterostructure,respectively.An evident SP effect remains after a bias voltage is applied to the nanostructure.Moreover,both magnitude and sign of spin-polarized dwell time can be manipulated by properly changing the bias voltage,which may result in an electrically-tunable temporal spin splitter for spintronics device applications. 相似文献
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采用转移矩阵法,研究了结构尺度对自旋过滤器中电子自旋极化特性的影响.该自旋过滤器可以通过在半导体异质结上沉积纳米尺度的铁磁条带和肖特基金属条带来实现.计算结果表明,电子的自旋极化特性强烈依赖于铁磁条带和肖特基金属条带的结构尺度和位置,即该器件中存在量子尺寸效应.此外,我们的计算结果还表明,电子的自旋极化特性还与施加在肖特基金属条上的电压所诱发的电垒高度密切相关.因此,我们可以通过改变施加在肖特基金属条上的电压来调控该器件中电子的自旋极化特性,制造一个电压可调的电子自旋过滤器. 相似文献
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采用转移矩阵法,研究了结构尺度对自旋过滤器中电子自旋极化特性的影响.该自旋过滤器可以通过在半导体异质结上沉积纳米足度的铁磁条带和肖特基金属条带来实现.计算结果表明,电子的自旋极化特性强烈依赖于铁磁条带和肖特基金属条带的结构尺度和位置,即该器件中存在量子足寸效应.此外,我们的计算结果还表明,电子的自旋极化特性还与施加在肖特基金属条上的电压所诱发的电垒高度密切相关.因此,我们可以通过改变施加在肖特基金属条上的电压来调控该器件中电子的自旋极化特性,制造一个电压可调的电子自旋过滤器. 相似文献
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