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消色差的1/4波长延迟器的几何光学设计 总被引:4,自引:1,他引:4
在许多光谱学测量和实验研究中,常需要一个消色差1/4波长延迟器来满足各种实验测量条件.这可以通过一个在工作波长范围内折射率变化较小的菱型棱镜来实现.为了使用方便,在光学系统中可设计一个具有三个全内反射面的V型棱镜,其总的相位延迟达90°,同时可避免光路偏差.在实际应用中,需对棱镜的尺寸和通光孔径进行优化设计,以达到最佳效果.在本文中,我们给出了具有这种结构的几何设计例子,还结合不同参量成功地设计研制了一个消色差的1/4波长延迟器,并应用于磁光材料的克尔效应测量中.文中给出了详细计算和误差修正,所给出的计算公式可用于其他尺寸的消色差1/4波长器的设计和研制. 相似文献
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一种完整测量磁光克尔效应和法拉第效应的方法 总被引:3,自引:0,他引:3
详细给出了一种测量完整克尔和法拉弟效应的原理和实验装置。该装置简单可靠,安全由计算机控制。利用傅里叶变换方法,实验系统可以在从0.01度至几百度的克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第效应的绝对值。作为实验测量的例子,给出了MnBiAl合金薄膜样品和GaP块状样品的克尔和法 相似文献
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第三届金属多层膜、磁性超薄膜及超薄膜纳米结构国际研讨会于1998年6月14日至19日在加拿大温哥华市举行.这次会议由加拿大的西蒙弗雷索大学主办,不列颠哥伦比亚大学承办,会场设在不列颠哥伦比亚大学的会议中心.来自23个国家的300多位代表参加了本次大会... 相似文献
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Two-dimensional atomic-layered material is a recent research focus, and single layer Ta_2O_5 used as gate dielectric in field-effect transistors is obtained via assemblies of Ta_2O_5 nanosheets. However, the electrical performance is seriously affected by electronic defects existing in Ta_2O_5. Therefore, spectroscopic ellipsometry is used to calculate the transition energies and corresponding probabilities for two different charged oxygen vacancies, whose existence is revealed by x-ray photoelectron spectroscopy analysis. Spectroscopic ellipsometry fitting also calculates the thickness of single layer Ta_2O_5,exhibiting good agreement with atomic force microscopy measurement. Nondestructive and noncontact spectroscopic ellipsometry is appropriate for detecting the electrical defects level of single layer Ta_2O_5. 相似文献
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为了研究接触介质对金属光学性质的影响,实验中使用具有不同折射率的梯形棱镜作为衬底,将金和银蒸发到棱镜底部,用椭偏术分别测量了薄膜在金属-空气、金属-衬底界面的介电函数.结果表明:无论在Drude区,还是在带间跃迁区,金属-衬底界面处薄膜介电函数不仅与金属-空气界面处的测量值不同,而且随衬底折射率改变而改变.在固体接触条件下获得的结果与其他作者在液体接触条件下获得的结果相一致,但尚难被现有机制所解释.
关键词: 相似文献
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