低温下P-N结的V_F-T特性

本文讨论了低温下P-N结的正向电压降V_F随温度T变化的特性。对几种硅与砷化镓二极管的V_F-T特性,在4—300K的温区进行了测量。实验与分析表明国产二极管可用作低温宽温区测温探头。对其应用的可能性进行了分析。