电致发光显示究研动向

继粉末电致发光(注:以下电致发光均略写为EL)显示器件之后,1968年美国贝尔研究所研制出不同发光机理的高亮度薄膜EL器件,引起了广泛的注意。这种器件,是在ZnS中掺进希土类氟化物分子(TbF_3)作为发光中心,亮度达到数百尺朗伯(fL)。接着,美国Sigmatron公司又研制成硫化锌掺锰的三层薄膜EL器件,发光层背面镶有As_2S_3黑色绝缘层,提高了屏的反差。日本霞浦公司于1973年,研制成将ZnS发光层夹在Y_2O_3和Si_3N_4绝缘层间的对称型薄膜EL器件,亮度达1,500fL,     

发光二极管的集成技术

可见发光二极管用做指示灯,数字显示和文字显示现已达到实用阶段。用来显示数字和文字时,其标准构造分别为8个亮点(发光二极管以下简称为LED)和35个亮点。过去,由于LED材料及LED的历史较短,整个技术还不成熟,故数字、文字显示器件的制作方法只能采用把单体LED二维     

使用发光二极管的光电话

1.序 激光出现后,光通信引起人们很大重视。特别是半导体激光具有直接调制的特点,因而很可能用来制成小型,经济的光通信装置。光通信与历来的通信在概念上没有什么不同,但它的信息容量大,原则上又没有什么限制,这是它的一个很大优点。     

灯用磷光体

一、荧光灯用磷光体 1.卤磷酸钙 卤磷酸钙磷光体在紫外线激发下,能发出明亮的光,并能大量生产,所以是一种重要的荧光灯用材料。卤磷酸钙磷光体是一种典型的敏化发光材料,当用sb激活时,发兰白色光,峰值波长为480nm,发光相当亮;用Sb“+和Mn“干激活时     

半导体激光在光通信中的应用

半导体激光从它诞生的那天起,就和通信有着密切联系。这种联系至今非但没变,而且越来越成为实现光通信中的关键器件。特别是室温连续振荡激光器的出现,使人们对半导体激光器寄予更大的希望。 光通信的设想不是最近才提出来的。早在昭和初期到二次世界大战期间日本国内便已着手这方面的研究工作。但和现在的光通     

硫化镉单晶—无定形半导体异质结的特性及其在摄象管上的应用

无定形半导体的光电导特性的研究工作,苏联开展的最早。报道过一些无定形,薄膜的晶体——无定形异质结,无定形——无定形异质结的电学和光电导特性的文章。1970年曾报道过,采用无定形半导体的光敏电阻特性已制成专用电视机消息。本刊1971年10期曾报道过,苏联宣称用玻璃半导体制作光电摄象机用于宇宙飞船上从月球表面上发回图象的消息。 70年曾报道日本日立公司等从事无定形半导体的光电导特性的研究,用于光导摄象管。71年日本有人报道用CdSe——无定形薄膜制成光导摄象管,有许多优点,寿命达1000小时以上。1972年日本电子工程(Japan Electronics Engineering)71期报道日本广播公司采用玻璃半导体作为光电转换靶面制成一种新的电视摄象管,目前已普遍引起注意。其主要性能:1.能拍摄质量高的彩色照片和具有很高的灵敏度。2.析象能力很高,可以缩小管子的尺寸,从而能把电视摄象机做得很小。3.适合大量生产。图象质量具有光斑少、没有余象、分辨率高、图象均匀等优点。 下边我们选译的这篇文章介绍了日本目前有关这方面工作的研究情况,可供参考。     

分子束外延

1.前言 “分子束外延”是最近才出现的一种新技术。是由贝尔实验室发明的一种在高真空中外延生长半导体晶体的新方法(主要是Ⅲ一Ⅴ族的GaAs,GaP)。最初见于J.R.Arthur等人1969年发表的“用分子束淀积法外延生长GaAs,GaP,GaAs_xP_(1-x)薄膜的论文。它是在高真空中,使组成化合物的两至三种元素的“分子束”喷射到衬底晶体上,生长出该化合物半导体单晶薄膜。 分子束外延法与气相、液相外延方法不同,它是在高真空中即最纯条件下生长晶体。因而是研究晶体生长机理,确定晶体生