X射线发射深度分布φ(ρz)计算与电子探针定量分析

本文利用Monte Carlo方法和修改了的原子散射总截面公式,计算了在合金中产生X射线的深度分布φ(ρz),并用于电子探针定量分析。对12种二元合金、一种三元合金和碳化硅中的碳作了计算,结果比ZAF方法和Shimizu方法好。尤其对碳的计算结果比ZAF方法更好,表明本文的计算方法用于轻元素定量分析是可行的。 关键词：     

轻元素定量分析的新修正方法

本文介绍了一种能用于轻元素定量分析的新修正方法,它的各项修正因子用Monte Carlo计算方法确定。分析了碳和氧两种元素,计算得到的浓度结果比其它方法好。并对ZAF方法中的简化Philibert吸收修正公式和Dancumb-Reed原子序数修正公式进行了详细讨论,指出了它们的局限性。 关键词：     

用Monte Carlo方法计算电子散射和穿透深度

一、引 言 为了深入了解电子与固体相互作用时产生的特征X射线和背散射电子等信号分布情况,我们从 Rutherford散射出发,利用 Monte Carlo方法,在国产T!-16型电子计算机上进行了计算.计算了几种纯元素的背散射系数、最大的电子穿透深度以及Cu-Au,Ag-Au两种合金的背散射系数. 二、数学模拟方法[1] 电子在靶中的最大行程为RB,用Bethe能量损失公式积分求得.Bethe公式为[2]式中Z为原子序数,A为原子量, s为电子轨迹的质量距离,E为电子能量,J为平均电离能.计算中采用了两种J的表达式,一种是Duncum卜的厂。’.另一种是 Berger-Seltzer的J“…