ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。     

铝阳极化皮膜之显微组织与电化学特性研究

利用超薄切片技术(ultramicrotomy)制作铝阳极化成箔之横截面切片,于穿透式电子显微镜(TEM)下对氧化铝介电皮膜厚度,型态,成份与微结构进行观察与分析,并探讨其与皮膜电化学特性表现之关联性.于85℃己二酸铵水溶液中进行铝阳极化成处理.当电压低于100V时,所成长之介电层为非晶质氧化铝皮膜,其电阻值随化成电压升高而增加,但介电常数不受化成电压之影响.当化成电压超过100V时,结晶状的γ′＿Al2O3开始出现,且其产生的量随电压值的提高而不断增加,结晶化的过程造成皮膜中缺陷与裂缝产生,以致皮膜电阻逐渐降低,但平均介电常数却有明显随皮膜中γ′＿Al2O3增加而升高的趋势.化成电压达到200V时,介电皮膜之结构明显可分为两层,包括内层非晶质氧化铝与外层结晶性γ′＿Al2O3;其电化学交流阻抗行为亦显示界面双电容组件特性,结晶性γ′＿Al2O3层的电阻较低,但比非晶质氧化铝层具较高电容值.     

深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型

对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zn_i^?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zn_i^?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''_Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''_Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证.     

ZnO压敏陶瓷中组分工艺对Znï本征缺陷的影响

用导纳谱法,测量ZnO压敏陶瓷中Schottky势垒区的陷阱能级,研究组分、制备工艺对二价填隙锌离子Znï本征缺陷的影响.结果表明,ZnO压敏陶瓷中由于添加剂的多元化,导致制备过程中组分之间反应增强,从而形成本征缺陷的趋向也随之增强;其中那些能分凝于晶界的Bi,Ba添加剂,则对Znï的形成有抑制作用;而过高的退火处理温度,则大大地促进Znï的形成.     

菲涅尔数字全息的脉冲响应

数字全息是用CCD记录全息图并用计算机数值重建全息像的一种全息新方法.在数字全息中,通过对不同记录参数下记录的全息图的数值处理,可以消除零级光和共轭光,从而将数字全息系统看作是一个线性系统.本文依据全息理论和付里叶频谱分析,对菲涅尔数字全息系统的脉冲响应和分辨本领进行了理论分析.结果表明,在矩形等间隔抽样的情形下,菲涅尔数字全息的脉冲响应是由CCD有限大小的孔径衍射斑调制的矩形函数;菲涅尔数字全息的分辨率由CCD的孔径尺寸决定;由于CCD像素具有一定的大小,使得点光源的像发生弥散.     

ZnO压敏陶瓷中的本征缺陷

研究了ZnO-Sb₂O₃-BaO系和ZnO-Bi₂O₃-Sb₂O₃-BaO系压敏陶瓷的介电损耗因子D(tanδ)与频率f的关系。发现不含Bi₂O₃试样在室温附近出现一新的损耗峰,峰值频率在2MHz左右,对应的电子陷阱能级为0.18eV,分析认为是由于本征缺陷Zn_i所致。设想Bi离子对Zn_i 关键词：     

Tu和Boiti-Tu方程的Painlevé性质及其auto-Bcklund变换

本文利用奇点分析的方法,讨论了Tu和Boiti-Tu方程的Painlevé性质,同时得到了它们的auto-Bcklund变换。引言 ARS猜想及其约化方法,以及随后发展起来的各种奇点分析方法,     

基于MXene的黄曲霉素电化学适体传感器的构建

本文利用黄曲霉素(AFB₁)与AFB₁适体的特异性识别来测定AFB₁的含量。采用MXene材料中的Ti₃C₂纳米材料掺杂金纳米颗粒作为传感基底,以负载金纳米颗粒的金属有机框架材料Au NPs@UiO-66-NH₂为信号探针,利用杂交作用将标记有Au NPs@UiO-66-NH₂的AFB₁适体链结合到DNA₁上。采用差分脉冲伏安法(DPV),在Tris-HCl缓冲溶液中测定Au NPs@UiO-66-NH₂复合材料的DPV响应电流,构建了signal-off型的电化学适体传感器。传感器对AFB₁的线性响应范围为0.1～110 ng·mL^-1,检出限为0.0331 ng·mL^-1,线性方程为△I=0.5487x+0.9530,实现了对目标物的定量检测。