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1.
我们知道,编写教案,是可以各种各样的,它不是固定不变的。这一期里,同时登了三篇性质相同的稿件。因为目前还都不很成熟,所以希望读者同志对这一问题进行研究并展开讨论—— 相似文献
2.
合成了一种酰腙类含硫Schiff碱4-(二乙胺基)水杨醛缩2-噻吩甲酰腙一水合物(H2L·H2O,1),采用扩散法制备了它的铜配合物[Cu(phen)L](2,phen=菲咯啉),通过元素分析、红外光谱、紫外光谱和X射线单晶衍射对它们进行了表征。1的晶体属正交晶系,P21212空间群;2的晶体属单斜晶系,P21/c空间群。在2中H2L以烯醇式脱除羟基质子与铜配位,中心离子的配位环境为畸变的四方锥构型。应用Gaussian 09程序,采用密度泛函方法(DFT),分别在B3LYP/6-31G(d)和UB3LYP/6-31G(d)水平对1和2进行了量化计算,对分子的前线分子轨道的能量和组成以及电子光谱进行了分析讨论。测试、分析了化合物的抗氧化活性。 相似文献
3.
利用一种柔性二羧酸,辅以不同的双咪唑配体在水热条件下构筑了两例具有穿插特征的钴配位聚合物,{[Co(bimb)(L)]·H2O}n(1)和{[Co(bbix)(L)]2}n(2)(H2L=4,4'-(2,2'-oxybis(ethane-2,1-diyl)bis(oxy))dibenzoic acid, bimb=1,1'-(1,4-butanediyl)bis(imidazole), bbix=1,4-bis(benzimidazole-1-ylmethyl)-benzene)。单晶X-射线衍射研究发现配合物1为2D→3D 4-连sql拓扑构型的三重穿插网格;配合物2为3D 4-连66 dia拓扑构型的六重穿插网格。该结构分析结果表明作为辅助配体的双咪唑配体的构型对配合物的穿插特征有重要影响。另外,我们还研究了配合物1和2的热稳定性及磁性。 相似文献
4.
以甘露醇和山梨醇为原料,合成了2个新的手性膦配体,并用这些新的手性膦配体与钯原位生成的催化剂体系催化苯乙烯的不对称氢酯基化反应,得到R构型的2-苯基丙酸甲酯,其ee值分别为28.5%和13.6%。 相似文献
5.
采用外腔式电光开关,调制主动照明探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器长时间受强激光照射。对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高到6.6倍。 相似文献
6.
Giant stress—Impedance Effect in Amorphous and High—Current—Density Electropulsing Annealed Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9 Ribbons
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The stress-impedance (SI) effect has been observed in as-cast and high-current-density electropulsing annealed Fe73.5Cu1-Nb3Si13.5B9 ribbons.Large SI ratios of -35% and 25% have been obtained in high-current-density electropulsing annealed samples but not in as-cast samples.The SI effect changes drastically with the density of the annealing current and the longitudinally applied stress during the annealing process.The effective permeability has been shown to be responsible for the SI effect. 相似文献
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9.
氮掺杂石墨烯纳米结构的等离激元激发(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
基于含时密度泛函理论,研究了氮掺杂石墨烯纳米结构的等离激元特性。吡啶型氮掺杂不影响石墨烯纳米结构的等离激元激发特性,而取代型氮掺杂主要基于石墨烯纳米结构对称性的改变和体系中电子密度的增加来影响石墨烯纳米结构的等离激元共振。相对于纯六角石墨烯纳米结构,在低能共振区,取代型氮掺杂六角石墨烯纳米结构的等离激元共振能量发生了红移。相对于纯矩形石墨烯纳米结构,在低能共振区,取代型氮掺杂矩形石墨烯纳米结构沿扶手椅型边界方向激发时,其等离激元共振能量发生了蓝移;沿Z字型边界激发时,其主要的等离激元共振模式受掺杂氮的影响较小。 相似文献
10.
The dielectric properties of free-standing diamond films grown by the dc arc-jet plasma method are measured by an impedance analyser in the temperature range of 298-573K and at frequencies between 1000Hz and 1MHz.In the temperature and frequency ranges,the loss tangent can be expressed as a function of temperature and frequency.The loss tangent increases slightly with increasing temperature and frequency,The dielectric properties of the diamond films decrease with the increasing deposited temperature.The structure and quality of diamond films have been analysed by scanning electron microscopy,x-ray diffraction and raman spectroscopy. 相似文献