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可用于建筑结构检测的分布式光纤形变片 总被引:5,自引:1,他引:4
本文在光时域反射计(OTDR)和光纤形片的基础上,提出了一种分布式光纤传感器-分布式光纤形变片,该检测方法属于OTDR的损耗调制法,即通过测量粘贴于光纤形变片上的光纤弯曲损耗来获取测量点的应变量或位移量,作者分别在微位移架和悬臂梁进行了位移检测和应变检测,结果表明该分布式光纤形变片提供了一种可检测应变量与位移量的检测方法,值得注意的是,该分布式光纤形变片的传感网络采用时分复用的总线拓扑,能在一根光纤上同时检测多个检测点的变化。 相似文献
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采用直流等离子体喷射化学气相沉积(CVD)法制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜电极.提出了应用L-丝氨酸修饰掺硼金刚石薄膜电极检测去甲肾上腺素,提高了去甲肾上腺素(NE)含量检测的精度.在浓度为2.0×10-4 mol/L的去甲肾上腺素溶液中,通过对比BDD裸电极与L-丝氨酸修饰BDD电极得出:经L-丝氨酸修饰的BDD电极的电催化氧化能力明显增强;在浓度为1.0×10-4~1.0×10-8 mol/L的范围内,浓度的对数与氧化峰电流基本呈线性关系,且检测限为1.0×10-9 mol/L. 相似文献
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基于第一性原理, 优化了含Cr的高温相尖晶石结构材料(CrxFe1-x)A(CryFe2-y)BO4的几何结构, 并对它们的磁电性能进行了计算. 基于配位场理论分析了CrFe2O4的电子结构及其具有半金属性的微观机制. 计算表明, 仅当x=1.0、y=0.0时, (CrxFe1-x)A(CryFe2-y)BO4具有半金属性. CrFe2O4是典型的亚铁磁性耦合的IIB型半金属, 其分子磁矩约为5.6 μB, 大于Fe3O4的4.0 μB. 在CrFe2O4的四面体晶体场中, 中心离子的电子结构可近似写为Cr+t12g↑t32g↓; 八面体晶体场中, 中心离子的电子结构可近似写为Fe2+t32g↑e2g↑t12g↓. CrFe2O4具有半金属性的原因是在配合物ML4和ML6中, 中心离子与周围O配体间存在强烈的共价键作用, 该作用使中心离子与O配体间形成杂化轨道, 导致自旋向上子带被撕裂, 进一步使费米面正好处于自旋向上子带带隙中. 相似文献
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We study the constraints on the dark energy model with constant equation of state parameter w = pip and the holographic dark energy model by using the weak gravity conjecture. The combination of weak gravity conjecture and the observational data gives tu 〈 -0.7 at the 3σ confidence level. The holographic dark energy model realized by a scalar field is in swampland. 相似文献
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提出了一种多焦距短筒功率谱采集透镜(PSCL)系统设计方案,系统由前组透镜、后组透镜和4倍透镜组组成。F500傅里叶透镜作为前组透镜固定,加后组透镜,实现焦距F500至F800或F1000的切换。在F500或F1000系统后增加4倍透镜组,实现F2000或F4000的光学系统。设计结果表明,该方案缩短了透镜系统筒长,且像质良好。该透镜系统适用于多种焦距值切换的光学系统和仪器的小型化。 相似文献
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The effects of annealing temperature on the structural and optical properties of ZnO films grown on Si (100) substrates by sol-gel spin-coating are investigated. The structural and optical properties are characterized by x-ray diffraction, scanning electron microscopy and photoluminescence spectra. X-ray diffraction analysis shows the crystal quality of ZnO films becomes better after annealing at high temperature. The grain size increases with the temperature increasing. It is found that the tensile stress in the plane of ZnO films first increases and then decreases with the annealing temperature increasing, reaching the maximum value of 1.8 GPa at 700℃. PL spectra of ZnO films annealed at various temperatures consists of a near band edge emission around 380 nm and visible emissions due to the electronic defects, which are related to deep level emissions, such as oxide antisite (OZn), interstitial oxygen (Oi), interstitial zinc (Zni) and zinc vacancy (VZn^-), which are generated during annealing process. The evolution of defects is analyzed by PL spectra based on the energy of the electronic transitions. 相似文献
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新半金属Fe2LaO4磁电性能的第一性原理计算 总被引:1,自引:0,他引:1
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法设计并优化了含稀土元素的新半金属Fe2LaO4。详细计算了其电荷分布,分子磁矩等磁电性能,并结合配位场理论分析了其电子结构。结果表明,Fe2LaO4是一种含稀土元素的铁磁性的新ⅡB型半金属;它的稳定相晶格常数约为0.623 nm,分子磁矩约为1.0μB;Fe2LaO4属软铁磁性半金属;La较多的外层电子增强了Fe2LaO4内部的库仑斥力,导致了配合物ML4和ML6均受强场作用,从而使Fe2LaO4具有软铁磁性;考虑自旋分布后ML4和ML6的电子结构分别为a1g1↑a1g1↓t1u3↑t1u3↓eg2↑eg2↓t2g3↑t2g3↓和a1g1↑a1g1↓t1u3↑t1u3↓t2g3↑t2g3↓eg2↑eg2↓eg*1↑,这些电子属于分子轨道。 相似文献