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硫系非晶态半导体Ge15TE81S2Sb2材料的玻璃转变温度Tg为123—127℃[1-4].第一个晶化峰温度Tc1为196—201℃[1,2],此时材料内有Te晶体析出.第二个晶化峰温度Tc2为216℃,此时材料内有GeTe晶体析出[1].当温度超过Tg点后,材料内键链将进行调整,键角将发生偏转,从而结构将松动,故Tg点后材料的结构有较大的变化.该材料的薄膜样品之Tg,丁c1和 Tc2温度都比块状样品要低一些, 陈光华等人[5]认为扩展态电导机理的温度范围分别是162℃(块体)与182℃(薄膜)到227℃之间.此温度范围已超过了Tg,也超过了Tc2。 材料内有大量的Te,GeTe晶体析出,发生了… 相似文献
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