非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭

本文详细测试了用RF-PECVD法制备的非晶硅碳薄膜发光二极管的光强电流特性和温度对器件发光强度的影响.在直流电流驱动下,器件的发光在注入电流1A/cm2左右趋于饱和,而在低占空比的脉冲电流驱动下器件的发光直至注入电流20A/cm2仍随电流近似线性增长,但提高环境温度发光随之下降.结合对器件受热情况分析表明,热致猝灭而非场致猝灭导致了器件在大电流下的发光饱和,并简要提出了改进器件散热的措施.     

a-SiC:H/pin势阱结构可见光电注入发光

本文提出一种新的a-SiC:H/pin势阱结构可见光注入式电致发光器件。设计制作了一组势阱结构和势垒结构对比的a-SiC:H/pin发光器件,其测试结果表明这种新的势阱结构器件发光特性较势垒结构器件有明显改进。本文还研究了该类器件在脉冲电流激励下的瞬态发光特性。     

非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析

本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐射复合效率,理论分析与实验结果相一致。在此基础上简要提出了提高器件发光特性的措施。     

氢化非晶硅薄膜紫外线探测器的设计和制备

本文详细介绍了氢化非晶硅薄膜紫外线探测器的结构设计,并用射频辉光放电淀积法制备了a-SiC:H/a-Si:H异质结p-i-n结构非晶硅薄膜紫外线探测器,测量了器件的暗电流和光谱响应特性。在200—400nm紫外波段器件灵敏度接近于晶体GaAsP紫外线探测器,器件光谱响应峰值波长为430nm。