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本文研究了四元C15结构化合物V_2(ZrHfTa)超导转变温度的变化规律.发现Ta对V_2(HfZr)超导转变温度T_c的影响与组分有关.在富Hf区和富Zr区,Ta的添加都使T_c升高.而在三元系T_c峰值组分的V_2(Hf_0.5Zr_0.5)附近,T_c随Ta含量增加而下降,这与V_2Hf、V_2Zr加Ta后T_c随Ta含量增加而上升的趋势正相反,测量了样品的低温电阻、低温比热,未发现该四元系存在标志相变的温度反常区. 运用由角动量分波表象的能带论方法分析电子-声子作用得出的杂化能带理论分析本实验结果,认为V_2Hf与V_2(Zr_0.5Hf_0.5)的本质差异和加Ta后T_c完全相反的变化可能与Hf、Ta原子封闭的4f壳层电子与Zr原子的4d导带的相互作用有关.在某些化合物中4d与5d元素的相互作用有利于导带中的d-f杂化,因而对提高T_C可能是有利的. 相似文献
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基于第一性原理计算方法系统地研究了L21和B2结构下的Heusler合金Co2MnAl(100)表面原子的原子弛豫、电子结构、磁性和自旋极化行为. L21和B2结构的Co2MnAl(100)表面由于Co–Mn和Co–Al的成键差异, 使得不同原子分别发生不同程度的伸缩. 与块体相比, Co和Mn原子的自旋磁矩由于表面效应而明显增大, 电子结构计算显示L21结构块体中的带隙被表面态破坏, 表面效应使得两种结构的CoCo端面自旋极化率降低, 但MnAl端面并未受到显著影响, 呈现了较大的自旋极化, 预测其在隧道结中可能具有很好的应用潜力. 相似文献
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应用从头计算方法对KMgE3离子晶体中的色心和自陷态激子(STE)进行了模拟研究.对包含F心的量子团簇进行几何结构优化,并计算了F心处于1s基态和2p激发态的Mulliken电荷分布.模拟结果表明,F心周围的晶格弛豫较小,处于基态的F心电子主要局域在阴离子空位处,而处于激发态的F心电子波函数则比较扩展.计算结果表明,Vk心移向邻近的间隙位置,但仍保持分子轴向与[110]晶向平行.自陷态激子的弛豫是分子轴向平移与转动的叠加.计算得到的F心、Vk心的光学激发能及STE的发光能与实验符合得较好. 相似文献
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应用从头计算方法对KMgF33离子晶体中的色心和自陷态激子(STE)进行了模拟研 究.对包含F心的量子团簇进行几何结构优化, 并计算了F心处于1s基态和2p激发态的Mulliken电荷分布. 模拟结果表明,F心周围的晶格弛豫较小,处于基态的F心电子主要局域在阴离子空位处,而处于激发态的F心电子波函数则比较扩展. 计算结果表明,VKK心移向邻近的 间隙位置,但仍保持分子轴向与[110]晶向平行.自陷态激子的弛豫是分子轴向平移与转动的叠加.计算得到的F心、VK关键词:
色心
自陷态激子
从头计算
3离子晶体')" href="#">KMgF33离子晶体 相似文献