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MOCVD生长的GaN和GaN:Mg薄膜的拉曼散射 总被引:1,自引:1,他引:1
通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相CaN和掺Mg的P型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm^-1附近的两个峰。640cm^-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm^-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276,376cm^-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子-声子相互作用都有可能对E2模的频率产生影响。 相似文献
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GaN激子跃迁的时间分辨光谱学研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的GaN中自由,束缚激子(BX)的跃迁,讨论了这些跃迁的光致发光谱,复合寿命及其与温度的关系,给出了中性施主束缚激子和自由激子(FX)的辐射复合寿命分别为0.12ns和0.4ns。 相似文献
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大学物理是高中物理的延伸和拓展.从西安交通大学城市学院的培养目标和学生特点出发,在教学内容、教学方式和考核制度方面探究了大学物理和中学物理的有效衔接问题,并阐明从中形成的一些观点和建议,对应用型本科大学物理的教学改革提供有益的参考. 相似文献
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用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相InxGa1-xN薄膜样品进行了研究,观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP+),讨论了InxGa1-xN的A1(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时,对Raman谱中E2和A1(TO)声子模进行了分析和讨论.在InxGa1-xN样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号.
关键词:
Raman散射
X射线衍射
相分离
应力
LO声子-等离子耦合 相似文献