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1.
2.
带复平移的奇异积分方程组 总被引:3,自引:1,他引:2
路见可 《高校应用数学学报(A辑)》1989,4(4):516-524
本文讨论了在实轴上带复平移的奇异积分方程组,包括含单个平移和两个平移的情况,给出了可解的充分条件和解的级数形式,并将其应用于带未知函数共轭和复平移的奇异积分方程。 相似文献
3.
4.
Yan Zhibin 《东北数学》1998,(2)
SomeNotesaboutTanaka'sEquationYanZhibin(严质彬)(DepartmentofMathematics,HarbinInstituteofTechnology,Harbin,150001)AbstractLet{Wt... 相似文献
5.
6.
伟人的阴暗面——————力学史杂谈之十四 总被引:2,自引:0,他引:2
通过大力学家牛顿与胡克、弗拉姆斯蒂德、莱布尼兹
之间的关系,揭示牛顿为人的阴暗面. 相似文献
7.
8.
激光等离子实验中的低能X射线时间谱解谱方法 总被引:1,自引:1,他引:0
利用快速Fourier变换(FFT)算法和反卷积原理对Dante谱议测量波形进行了回推获得了激光等离子体源区低能X射线辐射时间波形。解谱方法采用了W.N.Mcelroy等人提出的SANDⅡ解谱方法并与文献[6]中介绍的限幅迭代和周期性光滑技术相配合计算出了能谱时间关系的16分区结果,给出了1989年6月LF-12强激光装置实验的双束靶、漏靶诊断口,入射口的X射线时间谱以及辐射温度时间关系T_R(i)。 相似文献
9.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
10.