Ni0.8Co0.2-SiO2颗粒膜中的Hall效应

对用离子束溅射制备的Ni_0.8Co_0.2-SiO₂颗粒膜的Hall效应进行了研究.当Ni_0.8Co_0.2合金的含量为43vol%时,在9.5×10⁵A/m的外磁场下,样品的室温Hall电阻率达6.3μΩ·cm ,高于普通磁性金属两个数量级以上,还研究了不同NiCo组分样品的电阻率与温度的关系（95—300K）,发现x＜x_c(逾渗组分)时,电阻率与-logT成正比,电阻温度系数为负;当x＜x_c时,逐渐呈现金属性;而当x≈x_c时,为过渡态.还用透射电子显微镜和振动样品磁强计等手段对样品的微结构和磁性进行了对比研究,表明金属-绝缘体颗粒膜中在逾渗阈值附近有较大的Hall效应,这与样品的微结构有密切关系. 关键词：     

Co-SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应

采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的Co-SiO2颗粒膜样品,并对样品的巨磁电阻效应进行了研究.在Co35(SiO2)65(体积百分比)颗粒膜样品中,观测到室温下近4%的巨磁电阻效应.研究了不同基片温度对巨磁电阻效应的影响并发现,随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降.根据样品的电阻率-温度关系曲线分析,在铁磁金属-非磁绝缘介质颗粒膜中,除了电子自旋相关隧穿效应外,可能还存在其他的导电机制.