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纳米SiC蓝光发射的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在4.68eV的激光激发下,室温CVD合成的纳米SiC粉体,可发射475nm的蓝光,经600~1100℃在N2气氛下进行快速退火(RTA)处理,其荧光强度随退火温度升高而增强,当T≥900℃时,荧光强度下降,但发光峰位与退火温度无关.通过XRD、IR、TEM、XPS等研究,认为纳米SiC中与氧有关的缺陷可能是引起475nm蓝光发射的主要原因 相似文献
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