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1引言制冷设备中换热器是重要的部件,在进行换热器设计或对实际系统中换热性能进行计算时,采用的翅片效率的准确与否将会关系到整个系统的工作状况。对于换热器表面处于干或湿工况时,文献中的翅片效率公式形式较统一,但对结霜情况下的研究相对没有一致的结论[1]。Sanders[1]、Barrow[2]和Kondepudi[3]都曾提及霜工况下换热器翅片效率公式,此外还有包含析湿系数的翅片效率形式。由于所采用的结霜翅片效率表达式不同,最终得到的翅片效率及翅片温度分布也难免存在差别。因而,从众多公式中选择相对准… 相似文献
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将布洛芬通过静电和疏水作用的共同作用负载于聚苯乙烯型大孔弱碱性阴离子交换树脂D301R和D301T上,最佳负载条件为:布洛芬悬浮于5~10%的乙醇水溶液中,加入树脂后在60℃下搅拌12h,负载量可达到0.49g/g树脂。研究了负载的布洛芬在模拟胃肠道的条件下(pH2下2h、pH 7.4下4h和pH 6.7下18h)的释放动力学,在前12h的释放接近于线性释放,释放率为58~60%。后12h的释放量较小,释放率为13~17%。如果每12h服药1次,第2次服药后的24h的累加释放率接近于线性释放。与聚苯乙烯骨架的大孔弱碱性阴离子交换树脂相比,聚甲基丙烯酸酯骨架的弱碱性阴离子交换树脂(甲基丙烯酸正丁酯/甲基丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯/双甲基丙烯酸乙二醇酯共聚物)负载的布洛芬在相同释放条件下突释明显,表明布洛芬与苯乙烯型弱碱性阴离子交换树脂之间的π-π作用在布洛芬的缓释中起关键的作用。 相似文献
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Effect of overdrive voltage on PBTI trapping behavior in GaN MIS-HEMT with LPCVD SiN_x gate dielectric
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The effect of high overdrive voltage on the positive bias temperature instability(PBTI)trapping behavior is investigated for GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistor(MIS-HEMT)with LPCVD-SiNx gate dielectric.A higher overdrive voltage is more effective to accelerate the electrons trapping process,resulting in a unique trapping behavior,i.e.,a larger threshold voltage shift with a weaker time dependence and a weaker temperature dependence.Combining the degradation of electrical parameters with the frequency–conductance measurements,the unique trapping behavior is ascribed to the defect energy profile inside the gate dielectric changing with stress time,new interface/border traps with a broad distribution above the channel Fermi level are introduced by high overdrive voltage. 相似文献
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