InP中和C带有关深能级的近红外光致发光

本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。     

掺锰磷化铟中1.18eV辐射的施主受主对辐射性质的研究

通过对掺锰磷化铟的1.18eV辐射的频率响应谱(FRS)及辐射峰随激发强度的位移的研究得到了明确的证据,确认这个光致发光辐射的施主受主对(DAP)复合的性质。一个和Mn2+相关的复合跃迁过程被提出用以解释有关的实验结果。     

光测磁共振及其在研究Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的应用

光测磁共振技术是一种研究半导体中的杂质缺陷的有效工具,它可以提供有关杂质缺陷的电子结构及与辐射复合过程的关系的信息。这篇文章对光测磁共振的原理和技术进行了讨论,着重评述了最近几年来新的认识和进展。对光测磁共振技术在Ⅲ-V族半导体材料的辐射过程的研究中的应用也进行了评述,比较详细地介绍了对l_np:M_n及G_ap:O的研究工作。