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1篇
专业分类
物理学
1篇
出版年
1994年
1篇
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1
1.
硅直接键合界面附近的深能级研究
总被引:3,自引:0,他引:3
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卢励吾
周洁
封松林
钱照明
彭青
《物理学报》
1994,43(5):785-789
利用扩展电阻探针(SRP)和深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了直接键合的n-Si/n
+
-Si界面附近的深能级。实验结果表明,在直接键合的n-Si/n
+
-Si界面n-Si一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱E1(E
c
-0.39eV)。E1可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的,其浓度在10
13
-10
14
cm
-3
之间。它可能是与制备键合材料的高温(1000-1100℃)处理
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